[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成有源层和栅绝缘层；

通过构图工艺形成栅极和辅助图形，所述栅极位于所述栅绝缘层正上方，所述辅助图形位于所述有源层上方，所述栅极和所述辅助图形上覆盖有掩膜图形；

去除所述辅助图形上方的掩膜图形，对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分采用导体化工艺处理，导体化工艺处理过程中，所述辅助图形被轰击，所述辅助图形的金属离子被轰击至所述有源层的部分区域，导体化工艺处理后的有源层包括位于所述栅绝缘层正下方的有源区和位于所述有源区两侧的第一导体化区和第二导体化区，所述辅助图形与所述第一导体化区连接；

在所述栅极上依次形成层间绝缘层、源漏极图形、钝化层和阳极，所述源漏极图形中的源极通过所述层间绝缘层上开设的第一过孔与所述辅助图形连接，所述源漏极图形中的漏极通过层间绝缘层上开设的第二过孔与所述第二导体化区连接，所述阳极通过所述钝化层上开设的第三过孔与所述源极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分采用导体化工艺处理，包括：

采用包括CF₄和O₂的干刻混合气体对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行干刻；

利用氨气或者氦气对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行等离子体处理。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述采用包括CF₄和O₂的干刻混合气体对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行干刻的步骤中：

所述CF₄的流量为2000～2500sccm，所述O₂的流量为1000～1500sccm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述辅助图形的直径为6～8μm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述辅助图形的厚度为0.6～0.8μm。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述辅助图形与所述有源区的水平距离大于15μm。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上依次形成有源层和栅绝缘层之前，还包括：

在所述衬底基板上依次形成遮光图形和缓冲层。

8.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述钝化层和所述阳极之间形成平坦层，所述阳极通过所述平坦层上开设的第四过孔和所述钝化层上开设的第三过孔与所述源极连接。

9.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求1-8中任一项所述的制作方法制作，包括：

衬底基板；

依次设置于所述衬底基板上的有源层和栅绝缘层，所述有源层包括位于所述栅绝缘层正下方的有源区和位于所述有源区两侧的第一导体化区和第二导体化区；

位于所述栅绝缘层上的栅极和位于所述第一导体化区上的辅助图形；

依次设置于所述栅极上方的层间绝缘层、源漏极图形、钝化层和阳极，所述源漏极图形中的源极通过所述层间绝缘层上开设的第一过孔与所述辅助图形连接，所述源漏极图形中的漏极通过层间绝缘层上开设的第二过孔与所述第二导体化区连接，所述阳极通过所述钝化层上开设的第三过孔与所述源极连接。

10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。