[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，所述制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上依次形成有源层和栅绝缘层；形成栅极和辅助图形；去除辅助图形上方的掩膜图形，对有源层未被栅绝缘层覆盖的部分采用导体化工艺处理；在栅极上依次形成层间绝缘层、源漏极图形、钝化层和阳极，源漏极图形中的源极通过层间绝缘层上开设的第一过孔与辅助图形连接，源漏极图形中的漏极通过层间绝缘层上开设的第二过孔与第一导体化区连接，阳极通过钝化层上开设的第三过孔与源极连接。根据本发明实施例的制作方法，可以增强有源层部分区域的导体化效果，从而减少导体化的有源层部分与源漏极金属的接触不良，降低信号输入的受阻程度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

目前，大尺寸OLED(有机发光二极管)显示面板的制作工艺中，利用导体化处理的部分有源层作为导体与源漏极金属、数据线以及电源线等相连接，由于大尺寸面板趋向更大尺寸，其均一性控制更加困难。目前干刻时均为基板分区域单独控制，对导体化异常的情况更加难以控制，例如，基板上存在微观颗粒或者光阻等物质时会影响其电容区域导体化效果，使得部分有源层上的微观点导体化异常，使得有源层和Cu等源漏极金属接触异常以及电容容量不够，Vdd信号输入受阻(Vdd信号通过导体化的有源层部分输入有机发光二极管)，降低了面板制作的良率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，用于解决现有技术中有源层部分区域导体化效果不佳、与源漏极金属接触异常、信号输入受阻，导致面板制作良率下降的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

本发明一方面实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成有源层和栅绝缘层；

通过构图工艺形成栅极和辅助图形，所述栅极位于所述栅绝缘层正上方，所述辅助图形位于所述有源层上方，所述栅极和所述辅助图形上覆盖有掩膜图形；

去除所述辅助图形上方的掩膜图形，对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分采用导体化工艺处理，导体化工艺处理过程中，所述辅助图形被轰击，所述辅助图形的金属离子被轰击至所述有源层的部分区域导体化工艺处理后的有源层包括位于所述栅绝缘层正下方的有源区和位于所述有源区两侧的第一导体化区和第二导体化区，所述辅助图形与所述第一导体化区连接；

在所述栅极上依次形成层间绝缘层、源漏极图形、钝化层和阳极，所述源漏极图形中的源极通过所述层间绝缘层上开设的第一过孔与所述辅助图形连接，所述源漏极图形中的漏极通过层间绝缘层上开设的第二过孔与所述第二导体化区连接，所述阳极通过所述钝化层上开设的第三过孔与所述源极连接。

可选的，所述对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分采用导体化工艺处理，包括：

采用包括CF₄和O₂的干刻混合气体对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行干刻；

利用氨气或者氦气对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行等离子体处理。

可选的，所述采用包括CF₄和O₂的干刻混合气体对所述有源层未被所述栅绝缘层覆盖的部分进行干刻的步骤中：

所述CF₄的流量为2000～2500sccm，所述O₂的流量为1000～1500sccm。

可选的，所述辅助图形的直径为6～8μm。

可选的，所述辅助图形的厚度为0.6～0.8μm。