[发明专利]深紫外LED封装及灯具

权利要求书

1.深紫外LED封装结构，包括基板、安装于所述基板上的围坝和安装于所述基板上的LED芯片，所述LED芯片设于所述围坝中，通过所述围坝来将所述LED芯片发出的光线反射出，其特征在于：所述围坝具有将所述LED芯片发出的光线反射成平行光射出的内表面，所述内表面沿所述基板厚度方向的截面线呈抛物线型，所述截面线靠所述基板的一端与所述基板呈弧形过渡连接，所述截面线靠所述基板的一端与所述基板之间的过渡弧线的弧度范围为10度-65度；所述截面线满足如下公式：y＝ax²+bx+c，其中，0a2，-0.5b0.5，0≤c≤400，所述截面线以所述基板上LED芯片的安装位置的中心点为原点，y为所述截面线上某点到所述基板的距离，x为所述截面线某点沿平行于所述基板的方向到所述原点的距离，所述截面线上远离所述基板的一端为顶端，由所述顶端到所述基板的方向，所述截面线还满足如下条件：

到所述顶端的距离范围为0-50微米处，0.1≤a≤0.3，-0.5≤b≤0.5，200≤c≤300；

到所述顶端的距离范围为50-100微米处，0.3≤a≤0.7，-0.5≤b≤0.5，100≤c≤200；

到所述顶端的距离范围为100-200微米处，0.7≤a≤1.1，-0.5≤b≤0.5，50≤c≤100；

到所述顶端的距离范围为200-400微米处，1.1≤a≤1.5，-0.5≤b≤0.5，20≤c≤50；

到所述顶端的距离范围大于400微米处，1.5≤a≤2，-0.5≤b≤0.5，0≤c≤20。

2.如权利要求1所述的深紫外LED封装结构，其特征在于：所述顶端到所述基板的距离范围为400-600微米。

3.如权利要求1或2所述的深紫外LED封装结构，其特征在于：所述内表面设有反射涂层。

4.如权利要求1或2所述的深紫外LED封装结构，其特征在于：所述深紫外LED封装还包括盖于所述围坝上的透镜。

5.如权利要求1或2所述的深紫外LED封装结构，其特征在于：所述深紫外LED封装还包括用于稳定输送至所述LED芯片的电压的稳压二极管，所述稳压二极管安装于所述基板上。

6.灯具，其特征在于：包括如权利要求1-5任一项所述的深紫外LED封装结构。