[发明专利]深紫外LED封装及灯具

说明书

本申请提供了一种深紫外LED封装，包括基板、安装于基板上的围坝和安装于基板上的LED芯片，LED芯片设于围坝中，围坝具有用于将LED芯片发出的光线反射成平行光射出的内表面。本申请提供的深紫外LED封装，通过围坝的内表面反射调节LED芯片发出的光线，使LED芯片发出的光线形成平行光射出，以减少光线在围坝内部损耗，提升出光效率；而且射出的平行光线，也可以更方便、高效的被使用，进一步提升该深紫外LED封装射出光线的利用率，以提升该深紫外LED封装光提取效率。

技术领域

本申请属于LED技术领域，更具体地说，是涉及一种深紫外LED封装及灯具。

背景技术

深紫外光源是杀菌消毒的重要手段。目前大功率深紫外光源采用汞灯作为光源，光功率高，消杀效果好。但是汞灯含有大量危害物质汞。根据《水俣公约》，2020年中国将逐步减少含汞产品的生产，因而开发新型大功率深紫外光源替代汞灯迫在眉睫。深紫外LED(Light Emitting Diode，发光二极管，简称LED)安全无污染，是最有潜力的替代候选。目前，由于深紫外LED芯片制造工艺的限制，商用芯片的光电效率最高仅为3％，封装后产品效率低。深紫外光对于封装结构和材料也有限制，目前的基板和封装方式主要侧重于可靠性的保证，导致封装的光提取效率(封装射出的可用光线相对于芯片发出光线的比例)受到了制约，使得当前深紫外LED封装光提取效率低。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种深紫外LED封装，以解决相关技术中存在的深紫外LED封装光提取效率低的问题。

为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案是：提供一种深紫外LED封装，包括基板、安装于所述基板上的围坝和安装于所述基板上的LED芯片，所述LED芯片设于所述围坝中，所述围坝具有用于将所述LED芯片发出的光线反射成平行光射出的内表面。

在一个实施例中，所述内表面沿所述基板厚度方向的截面线呈抛物线型。

在一个实施例中，所述截面线靠所述基板的一端与所述基板呈弧形过渡连接，所述截面线靠所述基板的一端与所述基板之间的过渡弧线的弧度范围为10度-65度。

在一个实施例中，所述截面线满足如下公式：y＝ax²+bx+c，其中，0a2，-0.5b0.5，0≤c≤400，所述截面线以所述基板上于所述围坝对应区域的中心点为原点，y为所述截面线上某点到所述基板的距离，x为所述截面线某点沿平行于所述基板的方向到所述原点的距离。

在一个实施例中，所述截面线上远离所述基板的一端为顶端，由所述顶端到所述基板的方向，所述截面线还满足如下条件：

到所述顶端的距离范围为0-50微米处，0.1≤a≤0.3，-0.5≤b≤0.5，200≤c≤300；

到所述顶端的距离范围为50-100微米处，0.3≤a≤0.7，-0.5≤b≤0.5，100≤c≤200；

到所述顶端的距离范围为100-200微米处，0.7≤a≤1.1，-0.5≤b≤0.5，50≤c≤100；

到所述顶端的距离范围为200-400微米处，1.1≤a≤1.5，-0.5≤b≤0.5，20≤c≤50；

到所述顶端的距离范围大于400微米处，1.5≤a≤2，-0.5≤b≤0.5，0≤c≤20。

在一个实施例中，所述顶端到所述基板的距离范围为400-600微米。

在一个实施例中，所述内表面设有反射涂层。

在一个实施例中，所述深紫外LED封装还包括盖于所述围坝上的透镜。

在一个实施例中，所述深紫外LED封装还包括用于稳定输送至所述LED芯片的电压的稳压二极管，所述稳压二极管安装于所述基板上。