[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS器件，其特征在于，至少包括衬底、位于衬底内的阱区、体区、漂移区、栅极结构、金属硅化物阻挡层；

所述体区和所述漂移区设置在所述阱区内，所述漂移区的一端设置有漏区，所述体区的一端设置有源区；

所述栅极结构横跨覆盖所述漂移区的一部分和所述体区的一部分，所述栅极结构与所述衬底之间设置有栅介质层；

所述金属硅化物阻挡层由堆叠的介质层和导电层构成；

所述金属硅化物阻挡层覆盖所述栅极结构和所述漏区之间的漂移区，且所述金属硅化物阻挡层延伸至所述栅极结构的上方；

所述漏区、所述源区和所述栅极结构的顶部分别设置有金属硅化物；

所述漏区、所述源区、所述栅极结构和所述金属硅化物阻挡层分别通过层间介质层中的接触孔引出。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极结构包括多晶硅栅和栅极侧墙；

所述多晶硅栅的顶部设置有所述金属硅化物。

3.根据权利要求1或2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层中的导电层为金属层。

4.根据权利要求1或2所述的LDMOS器件，其特征在于，所述金属硅化物阻挡层中的导电层为多晶硅层、以及位于所述多晶硅层上方的金属硅化物层。

5.一种LDMOS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底内形成浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离用于定义有源区；

在所述衬底内形成阱区；

在所述阱区内的一端形成体区，在所述阱区内的另一端形成漂移区；

在所述衬底表面形成栅介质层；

形成LDMOS器件的栅极结构，所述栅极结构横跨覆盖所述漂移区的一部分和所述体区的一部分；

在所述漂移区中形成所述LDMOS器件的漏区，在所述体区中形成所述LDMOS器件的源区；

形成金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层由堆叠的介质层和导电层构成；所述金属硅化物阻挡层覆盖所述栅极结构和所述漏区之间的漂移区，且所述金属硅化物阻挡层延伸至所述栅极结构的上方；

在所述漏区、所述源区和所述栅极结构的顶部形成金属硅化物；

沉积层间介质层；

在所述层间介质层内形成接触孔，所述接触孔与所述漏区、所述源区、所述栅极结构和所述金属硅化物阻挡层对应。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成金属硅化物阻挡层，包括：

依次沉积介质层、导电层；

通过光刻和刻蚀工艺去除多余的导电层和介质层，保留所述栅极结构和所述漏区之间的漂移区上方的介质层和导电层，且保留的所述介质层和所述导电层延伸至所述栅极结构的上方。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述导电层为金属层。

8.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述导电层为多晶硅层。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底表面形成LDMOS器件的栅极结构，包括：

沉积多晶硅层；

通过光刻和刻蚀工艺形成多晶硅栅，所述多晶硅栅横跨覆盖所述漂移区的一部分和所述体区的一部分；

在所述多晶硅栅的外侧形成栅极侧墙。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述漏区、所述源区和所述栅极结构的顶部形成金属硅化物，包括：

通过溅射方式在所述衬底上形成一层金属，并进行快速热退火形成金属硅化物；

通过刻蚀工艺去除多余的金属硅化物，所述漏区、所述源区和所述栅极结构的顶部的金属硅化物被保留。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，当所述金属硅化物阻挡层中的导电层为多晶硅层时，所述导电层上方的金属硅化物被保留。