[发明专利]LDMOS器件及其制造方法

说明书

本申请公开了一种LDMOS器件，涉及半导体制造领域。该LDMOS器件至少包括衬底、阱区、体区、漂移区、栅极结构、金属硅化物阻挡层；漂移区的一端设置有漏区，体区的一端设置有源区；栅极结构横跨覆盖漂移区的一部分和体区的一部分，栅极结构与衬底之间设置有栅介质层；金属硅化物阻挡层由堆叠的介质层和导电层构成；金属硅化物阻挡层覆盖栅极结构和漏区之间的漂移区，且金属硅化物阻挡层延伸至栅极结构的上方；漏区、源区和栅极结构的顶部分别设置有金属硅化物；漏区、源区、栅极结构和金属硅化物阻挡层分别通过层间介质层中的接触孔引出；利用金属硅化物阻挡层作为场板，进一步地提高LDMOS器件的击穿电压和可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种LDMOS器件及其制造方法。

背景技术

LDMOS(Lateral Double-Diffused MOSFET，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管)器件是一种常用的功率器件，击穿电压和导通电阻为衡量其性能的重要参数。

LDMOS器件追求高击穿电压及低导通电阻，击穿电压是指在保证不被击穿的情况下，LDMOS器件的漏极和栅极之间能够施加的最大电压。传统LDMOS器件的击穿电压和导通电阻相互钳制，提高击穿电压导致导通电阻增加，降低导通电阻导致击穿电压降低，只能在导通电阻和击穿电压之间取得一个平衡点，目前已经可以采取栅极场板或金属场板，使得击穿电压得到一定的提高。

发明内容

为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种LDMOS器件及其制造方法。该技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件，至少包括衬底、位于衬底内的阱区、体区、漂移区、栅极结构、金属硅化物阻挡层；

体区和漂移区设置在阱区内，漂移区的一端设置有漏区，体区的一端设置有源区；

栅极结构横跨覆盖漂移区的一部分和体区的一部分，栅极结构与衬底之间设置有栅介质层；

金属硅化物阻挡层由堆叠的介质层和导电层构成；

金属硅化物阻挡层覆盖栅极结构和漏区之间的漂移区，且金属硅化物阻挡层延伸至栅极结构的上方；

漏区、源区和栅极结构的顶部分别设置有金属硅化物；

漏区、源区、栅极结构和金属硅化物阻挡层分别通过层间介质层中的接触孔引出。

可选的，栅极结构包括多晶硅栅和栅极侧墙；

多晶硅栅的顶部设置有金属硅化物。

可选的，金属硅化物阻挡层中的导电层为金属层。

可选的，金属硅化物阻挡层中的导电层为多晶硅层、以及位于多晶硅层上方的金属硅化物层。

第二方面，本申请实施例提供了一种LDMOS器件的制造方法，该方法包括：

在衬底内形成浅沟槽隔离，浅沟槽隔离用于定义有源区；

在衬底内形成阱区；

在阱区内的一端形成体区，在阱区内的另一端形成漂移区；

在衬底表面形成栅介质层；

形成LDMOS器件的栅极结构，栅极结构横跨覆盖漂移区的一部分和体区的一部分；

在漂移区中形成LDMOS器件的漏区，在体区中形成LDMOS器件的源区；

形成金属硅化物阻挡层，金属硅化物阻挡层由堆叠的介质层和导电层构成；金属硅化物阻挡层覆盖栅极结构和漏区之间的漂移区，且金属硅化物阻挡层延伸至栅极结构的上方；

在漏区、源区和栅极结构的顶部形成金属硅化物；