[发明专利]垂直存储器装置

说明书

提供了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括：电路图案，位于第一基底上；绝缘中间层，位于第一基底上，绝缘中间层覆盖电路图案；弯曲防止层，位于绝缘中间层上，弯曲防止层在基本平行于第一基底的上表面的第一方向上延伸；第二基底，位于弯曲防止层上；栅电极，在第二基底上沿第二方向彼此分隔开，第二方向基本垂直于第一基底的上表面；以及沟道，在第二方向上延伸穿过栅电极。

本申请要求于2019年6月21日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0074144号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。

技术领域

发明构思的示例性实施例涉及一种垂直存储器装置。

背景技术

VNAND闪存装置可以包括在竖直方向上堆叠的存储器单元的水平层。在VNAND闪存装置中，随着在竖直方向上堆叠的栅电极的数量增加，基底会更容易弯曲。然而，在这种情况下，VNAND闪存装置可能无法具有均匀的电特性。

发明内容

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：电路图案，在第一基底上；绝缘中间层，在第一基底上，绝缘中间层覆盖电路图案；弯曲防止层，在绝缘中间层上，弯曲防止层在基本平行于第一基底的上表面的第一方向上延伸；第二基底，在弯曲防止层上；栅电极，在第二基底上沿第二方向彼此分隔开，第二方向基本垂直于第一基底的上表面；以及沟道，在第二方向上延伸穿过栅电极。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：电路图案，在第一基底上，第一基底包括单元区域和与单元区域相邻的外围电路区域；第一绝缘中间层，在第一基底上，第一绝缘中间层覆盖电路图案；第一弯曲防止层，在单元区域和外围电路区域上位于第一绝缘中间层上；第二基底，在单元区域上位于第一弯曲防止层上；栅电极，在单元区域上沿第一方向在第二基底上彼此分隔开，第一方向基本垂直于第一基底的上表面；沟道，在单元区域上沿第一方向延伸穿过栅电极；以及第一接触插塞，在外围电路区域上沿第一方向延伸穿过第一弯曲防止层，第一接触插塞电连接到电路图案。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：晶体管，在第一基底上；下布线，在第一基底上，下布线电连接到晶体管；第一绝缘中间层，在第一基底上，第一绝缘中间层覆盖晶体管和下布线；弯曲防止层，在第一绝缘中间层上，弯曲防止层在基本平行于第一基底的上表面的第一方向上延伸；第二基底，在弯曲防止层上；栅电极，在第二基底上沿第二方向彼此分隔开，第二方向基本垂直于第一基底的上表面；第二绝缘中间层，在第二基底上，第二绝缘中间层覆盖栅电极的侧壁；沟道，在第二方向上延伸穿过栅电极；上布线，在栅电极上，上布线电连接到栅电极；第一接触插塞结构，延伸穿过栅电极、第二基底和弯曲防止层，第一接触插塞结构电连接到下布线中的第一下布线；以及第二接触插塞，延伸穿过第二绝缘中间层和弯曲防止层，第二接触插塞电连接到下布线中的第二下布线。

根据发明构思的示例性实施例，提供了一种垂直存储器装置，所述垂直存储器装置包括：电路图案，在第一基底上；绝缘中间层，在第一基底上，绝缘中间层覆盖电路图案；弯曲防止层，在绝缘中间层上，弯曲防止层包括多个突起和多个凹部，第二基底，在弯曲防止层上；栅电极，堆叠在基本垂直于第一基底的上表面的第一方向上；以及沟道，在第一方向上延伸穿过栅电极。

附图说明

图1、图2、图3和图4是示出根据发明构思的示例性实施例的垂直存储器装置的平面图和剖视图。

图5、图6、图7、图8、图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17和图18是示出根据发明构思的示例性实施例的制造垂直存储器装置的方法的平面图和剖视图。

图19是示出根据发明构思的示例性实施例的在第一弯曲防止层的上部处的第一凹部的布局的平面图。