[发明专利]一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法

说明书

本发明提供一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，其特征在于，包括：步骤1，对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏；步骤2，设定符合镀膜要求的反应仓和单管的反应条件的参数值；步骤3，空运行一遍石墨框，并等待反应仓和单管的反应条件的参数值稳定；步骤4，测试第一根单管，调整石墨框的传输速度；步骤5，重复步骤3；步骤6，将石墨框装上待镀膜硅片送入反应仓进行镀膜；步骤7，重复步骤4‑6，依次完成多根单管对硅片的镀膜；步骤8，分析每一根单管镀膜后的镀膜效果。根据本发明实施例提供的板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，能够可以精确检测每根单管的镀膜效果，快速找出镀膜异常的单管，解决了板式PECVD设备检修发现问题用时久。

技术领域

本发明主要涉及光伏电池领域，具体涉及一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法。

背景技术

目前，板式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积法)是太阳能电池制作过程中重要的一道工序，其目的是在硅片表面形成一层减反射膜。该反射膜对颜色、膜厚和折射率均有一定的要求。在链式PECVD设备镀膜过程中，由于石英单管之间反应气体氨气和硅烷流量的不同，加上温度、时间的区别，导致电池片镀膜的颜色、膜厚和折射率有差异，电池片的镀膜效果不一致，达不到设计要求，同时影响了电池转换效率。

沉积氮化硅薄膜时，板式PECVD机台反应仓中每根管对应一套独立的镀膜系统(石英管、氨气气路、硅烷气路、氨气流量、硅烷流量、电源)，每根管的镀膜出现异常都会影响整体的镀膜效果。传统对板式PECVD设备进行检修的主要方式是：凭借经验对设备进行维修，也就是打开反应仓进行清理并查找问题，这种检测方式不能精准的判断具体哪根石英管在镀膜过程中出现了异常影响整体镀膜效果，发现问题用时过长，会造成产量降低，进而导致生产成本升高。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，可精确检测每根单管的镀膜效果，可以快速检验出镀膜异常位置，针对性解决了板式PECVD设备检修问题排查难，用时久，导致产量降低，成本升高的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

根据本发明第一方面实施例的板式PECVD设备中单管镀膜效果的检测方法，包括：

步骤1，对板式PECVD设备中的反应仓进行检漏，以确保反应仓无漏点；

步骤2，设定所述反应仓的镀膜的反应条件的参数值，以及设定所述单管镀膜时的反应条件的参数值，所述反应仓的反应条件的参数值和所述单管的反应条件的参数值符合镀膜的参数要求；

步骤3，在石墨框为空的状态时，运行所述反应仓和所述单管，将所述石墨框传入至所述反应仓，并从所述反应仓内输出，并等待所述反应仓和所述单管的反应条件的参数值稳定；

步骤4，测试第一根所述单管，关闭其余所述单管的运行，保持第一根所述单管处于镀膜的运行状态，且所述单管的反应条件的参数值不变，调整用于运输所述石墨框传输带的运行速度；

步骤5，重复步骤3；

步骤6，将第一根所述单管对应的一排所述石墨框上的一排子框格装上待镀膜硅片，将所述待镀膜硅片送入所述反应仓进行镀膜；

步骤7，重复步骤4-6，依次完成余下单管对硅片的镀膜；

步骤8，分析每一根单管镀膜后的硅片，以判断每根单管的镀膜效果。

优选地，分析每一根单管镀膜后的硅片，包括：

对经过每一根单管镀膜后的硅片进行检测，以确定每一根单管的是否满足镀膜的要求。

优选地，对经过每一根单管镀膜后的硅片进行检测，以确定每一根单管的是否满足镀膜的要求，包括：