[发明专利]光电器件及其制作方法在审
申请号: | 202010456444.1 | 申请日: | 2020-05-26 |
公开(公告)号: | CN112447896A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 王刚;初晨 | 申请(专利权)人: | 开发晶照明(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58;H01L25/075 |
代理公司: | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人: | 夏声平 |
地址: | 361101 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔星*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种光电器件,其特征在于,包括:
基底;
多个发光芯片,设置在所述基底上、且电连接所述基底;
第一环形结构,在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置;
第一波长转换层,设置在所述第一环形结构内、且覆盖所述多个发光芯片;
第二环形结构,在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置、且与所述第一环形结构接触连接;以及
第二波长转换层,设置在所述第二环形结构内、且覆盖所述第一波长转换层和所述多个发光芯片,其中所述第二波长转换层包含的波长转换物质与所述第一波长转换层包含的波长转换物质的材料不同。
2.根据权利要求1所述的光电器件,其特征在于,所述第一环形结构与所述第二环形结构依次层叠设置在所述基底上,从而所述第一环形结构位于所述第二环形结构与所述基底之间;以及所述第一环形结构的侧壁内外表面之间的最大距离大于或等于所述第二环形结构的侧壁内外表面之间的最大距离。
3.根据权利要求2所述的光电器件,其特征在于,所述第二波长转换层与所述第一波长转换层远离所述基底的顶面直接接触,且所述第一波长转换层的所述顶面的边缘不高于所述第二环形结构的侧壁内表面与所述第一环形结构的侧壁内表面之间的接合线。
4.根据权利要求3所述的光电器件,其特征在于,所述第一波长转换层的所述顶面为平面或外凸面。
5.根据权利要求1所述的光电器件,其特征在于,所述第二环形结构环绕所述第一环形结构设置、且与所述第一环形结构的侧壁外表面接触;以及所述第二环形结构在所述基底上的厚度大于所述第一环形结构在所述基底上的厚度。
6.根据权利要求5所述的光电器件,其特征在于,所述第一环形结构的材料与所述第二环形结构的材料不同。
7.如权利要求6所述的光电器件,其特征在于,所述第一环形结构为可见光透明材料,且所述第二环形结构为可见光不透明材料。
8.如权利要求2所述的光电器件,其特征在于,还包括:
第三环形结构,在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置;以及
封装胶,填充在所述第三环形结构内、且不包含荧光粉;
其中,所述第三环形结构位于所述第一环形结构与所述基底之间,且所述封装胶接触并覆盖所述多个发光芯片;或者,所述第三环形结构位于所述第二环形结构远离所述第一环形结构的一侧,所述封装胶接触并覆盖所述第二波长转换层远离所述基底的顶面,且所述封装胶包含有光扩散粒子。
9.根据权利要求1至8任意一项所述的光电器件,其特征在于,所述基底包括金属基材、绝缘层、电路层和保护层;所述绝缘层位于所述金属基材与所述电路层之间,所述电路层位于所述绝缘层与所述保护层之间,且所述保护层局部暴露出所述电路层;以及所述多个发光芯片电连接所述电路层。
10.一种光电器件的制作方法,其特征在于,包括:
提供基底;
在所述基底上设置多个发光芯片,并使所述多个发光芯片电连接所述基底;
在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置第一环形结构;
在所述第一环形结构内设置第一波长转换层,并使所述第一波长转换层覆盖所述多个发光芯片;
在设置所述第一波长转换层之后,在所述基底上环绕所述多个发光芯片设置第二环形结构,并使所述第二环形结构与所述第一环形结构接触连接;以及
在所述第二环形结构内设置第二波长转换层,并使所述第二波长转换层覆盖所述第一波长转换层和所述多个发光芯片,其中所述第二波长转换层包含的波长转换物质与所述第一波长转换层包含的波长转换物质的材料不同。
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