[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

本发明的提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置通过第一供给配管供给稀释用液，通过第二供给配管供给药液。通过调整部调整流过第一供给配管的稀释用液的流量。在混合罐中对通过第一供给配管供给的稀释用液和通过第二供给配管供给的药液进行混合。通过浓度计测量稀释用液和药液的混合液中的药液的浓度。通过控制部决定稀释用液的流量的修正量以便通过浓度计测量的浓度成为设定值，将所决定的修正量提供给调整部。调整部根据所提供的修正量，修正流过第一供给配管的稀释用液的流量。

技术领域

本发明涉及使用稀释后的药液对基板进行处理的基板处理装置以及基板处理方法。

背景技术

为了对半导体晶圆、液晶显示装置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板或光盘用玻璃基板等基板进行使用了处理液的处理，而使用基板处理装置。在进行基板的蚀刻等基板处理的基板处理装置中，生成稀释了的药液作为向基板供给的处理液。

例如，在日本专利第5043487号公报记载的基板处理装置中，通过氢氟酸供给管向混合部供给贮存在氢氟酸罐中的氢氟酸的原液。另外，通过DIW供给管向上述混合部供给DIW(De-ionized water：去离子水)。通过流量调节阀适当地调整通过氢氟酸供给管的氢氟酸的原液的流量，在混合部生成具有希望的浓度的稀氢氟酸。

发明内容

近年来，伴随着半导体的微型化，为了提高蚀刻的精度，要求高精度地使蚀刻所使用的药液的浓度稳定。例如，要求以5000±5ppm的精度使稀氢氟酸的浓度稳定。但是，本发明人们的研究的结果明确了在使用从工厂设备供给的DIW的情况下，难以通过日本专利第5043487号公报记载的方法生成按照上述精度使浓度稳定了的稀氢氟酸。

因此，考虑在基板处理装置中设置贮存DIW的称量槽，从该称量槽供给DIW。在该情况下，需要设置极大的称量槽。例如，在2.4L的氢氟酸罐中贮存有浓度49％的氢氟酸的原液的情况下，为了生成具有约1/100的浓度(5000ppm)的氢氟酸，需要设置贮存约240L的DIW的称量槽。但是，在基板处理装置中设置这样的大型的称量槽是不现实的。

另外，在叶片式的基板处理装置中，同时通过多个处理部进行多个基板的处理，因此一次性消耗大量的药液。因此，通过使上述氢氟酸罐的容量小型化而使DIW用的称量槽小型化并不是不理想的。

本发明的目的在于：提供生成高精度地使浓度稳定的药液的基板处理装置以及基板处理方法。

本发明人们反复进行各种实验和考察的结果，得到了以下这样的见解，即从工厂设备供给的稀释用液的压力的变动对生成的药液的浓度的稳定性产生影响。由于稀释用液的压力变动，稀释用液的流量以较长的周期变动。使用者无法预测、也无法控制这样的来自工厂设备的稀释用液的压力的变动。本发明人们在考虑到这样的状况的基础上，找出能够高精度地使药液的浓度稳定的结构，构想了以下的本发明。

(1)本发明的一个方面的基板处理装置是使用稀释后的药液对基板进行处理的基板处理装置，该基板处理装置具备：第一配管，其供给稀释用液；第二配管，其供给药液；第一调整部，其调整流过第一配管的稀释用液的流量；混合罐，其对通过第一配管供给的稀释用液和通过第二配管供给的药液进行混合；浓度计，其测量稀释用液和药液的混合液中的药液的浓度；控制部，其决定稀释用液的流量的修正量以便通过浓度计测量的浓度成为设定值，并将所决定的修正量提供给第一调整部，第一调整部根据由控制部提供的修正量，修正流过第一配管的稀释用液的流量。

在该基板处理装置中，通过第一配管供给稀释用液，并通过第二配管供给药液。通过第一调整部调整流过第一配管的稀释用液的流量。在混合罐中混合通过第一配管供给的稀释用液和通过第二配管供给的药液。通过浓度计测量混合了稀释用液和药液后的混合液中的药液的浓度。决定稀释用液的流量的修正值以便通过浓度计测量的浓度成为设定值，并将所决定的修正量提供给第一调整部。