[发明专利]上电修复过擦除干扰的方法、系统、存储介质和终端设备

权利要求书

1.一种上电修复过擦除干扰的方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S1：储存器芯片完成上电；

S2：对储存器芯片内的单元进行检测，判断是否存在过擦除单元，是则跳转至S3，否则跳转至S4；

S3：对过擦除单元进行修复，并跳转至S4；

S4：储存器芯片进入待机状态。

2.根据权利要求1所述的上电修复过擦除干扰的方法，其特征在于，所述S2-S3的过程如下：

s21-1：对储存器芯片内的一个单元进行检测，判断其是否为过擦除单元并跳转至s21-2；

s21-2：判断储存器芯片内的所有单元是否全部检测完毕，是则跳转至s31-1，否则跳转至s21-1；

s31-1：对检测出来的全部过擦除单元进行修复，并跳转至S4。

3.根据权利要求1所述的上电修复过擦除干扰的方法，其特征在于，所述S2-S3的过程如下：

s22-1：对储存器芯片内的一个单元进行检测，判断其是否为过擦除单元，是则跳转至s32-2，否则跳转至s22-2；

s32-1：对该过擦除单元进行修复并转至s22-2；

s22-2：判断储存器芯片内的所有单元是否全部检测完毕，是则跳转至S4，否则跳转至s22-1。

4.根据权利要求1所述的上电修复过擦除干扰的方法，其特征在于，所述S2-S3的过程如下：

s23-1：对储存器芯片内一根位线上的单元进行检测，判断该位线上是否存在过擦除单元并跳转至s23-2；

s23-2：判断储存器芯片内的所有位线是否均已检测完毕，是则跳转至s33-1，否则跳转至s23-1；

s33-1：对所有位线上的过擦除单元进行修复，并跳转至S4。

5.根据权利要求1所述的上电修复过擦除干扰的方法，其特征在于，所述S2-S3的过程如下：

s24-1：对储存器芯片内一根位线上的单元进行检测，判断该位线上是否存在过擦除单元，是则跳转至s34-2，否则跳转至s24-2；

s34-2：对该根位线上的过擦除单元进行修复并转至s24-2；

s24-2：判断储存器芯片内的所有位线是否全部检测完毕，是则跳转至S4，否则跳转至s24-1。

6.一种采用如权利要求1至5任一所述的上电修复过擦除干扰方法的系统，其特征在于，包括：

判断储存器芯片是否上电完毕的上电判断模块（A5）；

判断储存器芯片内的单元是否为过擦除单元的判断模块（A1）；

对储存器芯片内的过擦除单元进行修复的修复模块（A2）；

发送指令至储存器芯片使储存器芯片进入待机状态的待机模块（A6）。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括对储存器芯片内的单元施加0V电压的电压施加模块（A3）。

8.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，还包括对储存器芯片内的单元进行计数的计数模块（A4）。

9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机上运行时，使得所述计算机执行权利要求1至5任一项所述的方法。

10.一种终端设备，其特征在于，包括处理器（B301）和存储器（B302），所述存储器（B302）中存储有计算机程序，所述处理器（B301）通过调用所述存储器（B302）中存储的所述计算机程序，用于执行权利要求1至5任一项所述的方法。