[发明专利]上电修复过擦除干扰的方法、系统、存储介质和终端设备

说明书

本发明公开了一种上电修复过擦除干扰的方法、系统、存储介质和终端设备，通过在在储存器芯片完成上电后，增加一个单元的检测‑修复环节，对于正常操作而言，不会影响其正常进入待机状态；而对于异常操作，用户无需去重复上次操作，芯片会自动检测异常的单元并进行修复，解决了过擦除单元的干扰，减轻了用户的操作负担。

技术领域

本发明涉及半导体存储技术领域，尤其涉及的是一种上电修复过擦除干扰的方法、系统、存储介质和终端设备。

背景技术

在现有技术中，若对储存器进行擦除操作，下面以扇区擦除（sector erase）为例进行说明。在扇区中，有32,000个单元，这些单元都是在同一擦除条件下被同时擦除的，而这些单元的特性可能不一致（有可能是因为制造工艺引起；也有可能是因为部分单元被反复操作过，导致其特性变差），导致在同一擦除条件下，这32,000个单元的被擦除的速度不一致，即所需要的擦除时间不同。假如其中有2000个单元的特性较差，需要擦除时间为50ms，而其他30,000个单元的特性正常，需要擦除时间为5ms，在这个情况下，若要同时将这32,000个单元都擦除成功，则需要的擦除时间为50ms，而对于正常的30,000个单元而言，前面5ms已经将其成功擦除，而后面45ms的擦除对这些正常的单元而言就是过擦除。因此在擦除算法中，在擦除操作之后会通过一个软编程，对这些过擦除单元进行一个编程，使其阈值电压大于0v，即在这些单元未被选中的时候，当栅极电流施加0v时，可以使其关闭。

但在实际应用中，当芯片在软编程时可能会遇到掉电情况，此时过擦除的单元未被全部修复完成。在下次上电后，当芯片进行读操作时，选中的单元的栅极施加一个正电压（6v），而未选中的栅极电压为0v。当读操作选中的是擦除单元时，由于其阈值电压较低（一般为3v），6v施加到栅极会产生一个较大的电流；当读操作选中的是编程单元时，由于其阈值电压较高（一般为8v），6v施加到栅极，产生的电流很小。内部通过区分电流的大小可以达到判断此单元是编程单元还是擦除单元。但是，对于过擦除单元而言，其阈值电压一般为负值（-1v），由于nor flash结构，一根位线上连接了很多个单元（一般为上百或上千个），若此根位线上有过擦除单元，则对编程单元进行读操作时，编程单元的栅极施加6v，未选中单元栅极施加0v，而0v对于过擦除单元而言，无法使其关闭，会产生一个大电流，此时该位线上会流过一个大电流，内部会将该编程单元判断为一个擦除单元，导致读出的结果出错。

如图1所示，针对上述在擦除算法中软编程掉电导致数据读错的情况，传统的做法是，要求客户在下次上电完成后，重复掉电前的操作，即重新对此区域进行擦除。但此做法对于客户而言，非常不方便，要记住掉电前的操作比较困难，因为掉电可能会丢失日志，很难找到掉电前是否进行了擦除操作，擦除的区域在什么位置。

因此，现有的技术还有待于改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种上电修复过擦除干扰的方法、系统、存储介质和终端设备，在上电期间，直接对整个储存器芯片内的单元自动进行检测并修复，节省用户操作，排除过擦除单元的干扰。

本发明的技术方案如下：一种上电修复过擦除干扰的方法，其中，具体包括以下步骤：

S1：储存器芯片完成上电；

S2：对储存器芯片内的单元进行检测，判断是否存在过擦除单元，是则跳转至S3，否则跳转至S4；

S3：对过擦除单元进行修复，并跳转至S4；

S4：储存器芯片进入待机状态。

本技术方案中，通过在在储存器芯片完成上电后，增加一个单元的检测-修复环节，对于正常操作而言（无异常掉电），不会影响其正常进入待机状态；而对于异常操作（异常掉电），用户无需去重复上次操作，芯片会自动检测异常的单元并进行修复，解决了过擦除单元的干扰，减轻了用户的操作负担。