[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

形成有半导体集成电路的半导体芯片；

收纳所述半导体芯片的壳体；

包括从外部装置接收输入电压的输入端子以及输出端子，并且安装于所述壳体的多个外部端子；

温度差保护信号输出电路，其具有配置在所述半导体集成电路内的相互不同的第1对象位置及第2对象位置的第1温度检测元件及第2温度检测元件，使用所述第1温度检测元件及第2温度检测元件输出与所述第1对象位置的温度和所述第2对象位置的温度的温度差对应的温度差保护信号；

作为发热源的对象元件；以及

控制电路，

将所述对象元件作为介于所述输入端子与所述输出端子之间的元件，设置在所述半导体集成电路内，

基于所述输入电压的电流流过经由所述输入端子、所述对象元件及所述输出端子的对象电路，由此，所述对象元件发热，

所述控制电路基于所述温度差保护信号来控制所述对象元件，由此进行所述对象电路的形成或切断，

在所述半导体芯片中的预定的对象区域形成所述对象元件，

在所述半导体芯片上设置有多个金属焊盘，

各金属焊盘经由金属引线与对应的外部端子连接，

所述第1温度检测元件与所述对象元件的距离比所述第2温度检测元件与所述对象元件的距离短，

所述第1温度检测元件与所述对象区域的距离比所述第2温度检测元件与所述对象区域的距离短，

所述第2温度检测元件与所述多个金属焊盘的距离中的最小距离比所述第1温度检测元件与所述多个金属焊盘的距离中的最小距离短。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

沿着所述半导体芯片中的预定的边配置所述多个金属焊盘中所含的第1～第k金属焊盘，k为2以上的整数，

所述第1～第k金属焊盘与所述对象区域的距离中，所述第k金属焊盘与所述对象区域的距离最长，

所述第1～第k金属焊盘与所述第2温度检测元件的距离中，所述第k金属焊盘与所述第2温度检测元件的距离最短。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述对象元件为晶体管，

所述控制电路基于所述温度差保护信号控制所述晶体管的状态，由此进行所述对象电路的形成或切断。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具备：温度保护电路，其具有所述温度差保护信号输出电路、输出与所述半导体集成电路内的第1特定位置的温度对应的第1温度保护信号的第1温度保护信号输出电路以及输出与所述半导体集成电路内的第2特定位置的温度对应的第2温度保护信号的第2温度保护信号输出电路，

所述控制电路基于所述温度差保护信号、所述第1温度保护信号及所述第2温度保护信号进行所述对象电路的形成或切断。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1对象位置的温度比所述第2对象位置的温度高出预定的差分保护温度以上时，所述温度差保护信号输出电路将所述温度差保护信号设为有效状态，

在所述第1特定位置的温度为预定的第1保护温度以上时，所述第1温度保护信号输出电路将所述第1温度保护信号设为有效状态，

在所述第2特定位置的温度为比所述第1保护温度高的预定的第2保护温度以上时，所述第2温度保护信号输出电路将所述第2温度保护信号设为有效状态，

在所述温度差保护信号及所述第1温度保护信号均为有效状态时或者在所述第2温度保护信号为有效状态时，所述控制电路切断所述对象电路。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置具备：温度保护电路，其具有所述温度差保护信号输出电路以及输出与所述半导体集成电路内的特定位置的温度对应的温度保护信号的温度保护信号输出电路，

所述控制电路基于所述温度差保护信号及所述温度保护信号进行所述对象电路的形成或切断。