[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供一种半导体装置。具有配置在半导体集成电路内的相互不同的第1对象位置及第2对象位置的第1温度检测元件及第2温度检测元件(D1、D2)，使用第1温度检测元件及第2温度检测元件生成与第1对象位置的温度和第2对象位置的温度的温度差对应的温度差保护信号S_DELTA。将第1温度检测元件(D1)配置成与第2温度检测元件(D2)相比更靠近作为发热源的对象元件。控制电路基于温度差保护信号控制对象元件。例如，在温度差相当高时，断开电源IC中的输出晶体管即对象元件。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

在包含形成线性调节器或开关调节器的电源IC的各种IC中，多内置有温度保护电路，目的在于保护自身免受自发热及外部气体造成的热的影响。温度保护电路有时也被称为热保护电路、热关断电路等。

这种温度保护电路一般在IC内的对象位置的温度为预定的保护温度以上时使IC的动作停止。

上述温度保护电路为有益的电路，但是在IC(半导体装置)内发生热的不均衡时，热保护有可能不充分。

专利文献1：日本特开2016-126650号公报

发明内容

本发明的目的在于，提供有助于提高热保护功能的半导体装置。

本发明的半导体装置构成为，在包含半导体集成电路的半导体装置中，具备：温度差保护信号输出电路，其具有配置在所述半导体集成电路内的相互不同的第1对象位置及第2对象位置的第1温度检测元件及第2温度检测元件，使用所述第1温度检测元件及第2温度检测元件输出与所述第1对象位置的温度和所述第2对象位置的温度的温度差对应的温度差保护信号；作为发热源的对象元件；以及控制电路，其基于所述温度差保护信号控制所述对象元件，所述第1温度检测元件与所述对象元件的距离比所述第2温度检测元件与所述对象元件的距离短(第1结构)。

在上述第1结构的半导体装置中，也可以构成为，具备从外部装置接收输入电压的输入端子以及输出端子，将所述对象元件作为介于所述输入端子与所述输出端子之间的元件，设置在所述半导体集成电路内，基于所述输入电压的电流流过经由所述输入端子、所述对象元件及所述输出端子的对象电路，由此，所述对象元件发热，所述控制电路基于所述温度差保护信号控制所述对象元件，由此进行所述对象电路的形成或切断(第2结构)。

在上述第2结构的半导体装置中，也可以构成为，所述对象元件为晶体管，所述控制电路基于所述温度差保护信号控制所述晶体管的状态，由此进行所述对象电路的形成或切断(第3结构)。

在上述第2或第3结构的半导体装置中，也可以构成为，具备温度保护电路，所述温度保护电路具有所述温度差保护信号输出电路、输出与所述半导体集成电路内的第1特定位置的温度对应的第1温度保护信号的第1温度保护信号输出电路以及输出与所述半导体集成电路内的第2特定位置的温度对应的第2温度保护信号的第2温度保护信号输出电路，所述控制电路基于所述温度差保护信号、所述第1温度保护信号及所述第2温度保护信号进行所述对象电路的形成或切断(第4结构)。

在上述第4结构的半导体装置中，也可以构成为，在所述第1对象位置的温度比所述第2对象位置的温度高出预定的差分保护温度以上时，所述温度差保护信号输出电路将所述温度差保护信号设为有效状态，在所述第1特定位置的温度为预定的第1保护温度以上时，所述第1温度保护信号输出电路将所述第1温度保护信号设为有效状态，在所述第2特定位置的温度为比所述第1保护温度高的预定的第2保护温度以上时，所述第2温度保护信号输出电路将所述第2温度保护信号设为有效状态，在所述温度差保护信号及所述第1温度保护信号均为有效状态时或者在所述第2温度保护信号为有效状态时，所述控制电路切断所述对象电路(第5结构)。