[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其包括：

衬底；

第一电极，其位于所述衬底上方；

第二电极，其位于所述第一电极上方；及

第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间，

其中所述第一绝缘层具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一绝缘层的所述第二部分与所述第二电极接触，所述第一部分通过所述第二部分来与所述第二电极分离，且所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其进一步包括所述第二电极上方的第三电极及所述第三电极与所述第二电极之间的第二绝缘层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述第二绝缘层具有第三部分及耦合到所述第三部分的第四部分，且所述第四部分的厚度大于所述第三部分的厚度。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其进一步包括所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的阶梯界面。

5.一种半导体结构，其包括：

第一电极；

第二电极，其位于所述第一电极上方；

第三电极，其位于所述第二电极上方；

第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间；及

第二绝缘层，其介于所述第二电极与所述第三电极之间；

其中所述第三电极包括第一底面及第二底面，所述第一底面及所述第二底面处于不同水平，且所述第一底面的宽度大于所述第二底面的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第二绝缘层具有所述第二电极与所述第三电极之间及所述第一电极与所述第三电极之间的一致厚度。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第一电极与所述第三电极的所述第一底面之间的距离小于所述第一电极与所述第三电极的所述第二底面之间的距离。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述第二绝缘层包括第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第二部分与所述第三电极接触，且所述第一部分与所述第三电极分离。

9.一种形成半导体结构的方法，其包括：

接收包括第一电极及所述第一电极上的第一绝缘层的衬底；

在所述第一绝缘层上形成第一导电层；

移除所述第一导电层的部分以在所述第一绝缘层上形成图案化第一导电层且暴露所述第一绝缘层的第一部分；及

移除所述图案化第一导电层的部分以形成第二电极且暴露所述第一绝缘层的第二部分，

其中所述第一绝缘层的所述第二部分的厚度大于所述第一绝缘层的所述第一部分的厚度。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：

在所述第二电极及所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；及

在所述第二绝缘层上形成第二导电层；及

移除所述第二导电层的部分以在所述第二绝缘层上形成第三电极且暴露所述第二绝缘层的第三部分。