[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：衬底；第一电极，其位于所述衬底上方；第二电极，其位于所述第一电极上方；及第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一绝缘层具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一绝缘层的所述第二部分与所述第二电极接触，所述第一部分通过所述第二部分来与所述第二电极分离。所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。

背景技术

集成芯片形成于包含数百万个或数十亿个晶体管装置的半导体裸片上。晶体管装置经配置以用作开关及/或产生功率增益以实现集成芯片的逻辑功能(例如执行逻辑函数的功能)。集成芯片通常也包含无源装置，例如电容器、电阻器、电感器、变容二极管等等。无源装置广泛用于控制集成芯片特性(例如增益、时间常数等等)且向集成芯片提供各种不同功能(例如将模拟及数字两种电路并入到相同裸片上)。

在无源装置中，包含由电容器电介质分离的至少一顶部金属板及底部金属板的电容器(例如金属-绝缘体-金属(MIM)电容器)通常实施于集成电路中。

发明内容

根据本发明的实施例，一种半导体结构包括：衬底；第一电极，其位于所述衬底上方；第二电极，其位于所述第一电极上方；及第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述第一绝缘层具有第一部分及耦合到所述第一部分的第二部分，所述第一绝缘层的所述第二部分与所述第二电极接触，所述第一部分通过所述第二部分来与所述第二电极分离，且所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

根据本发明的实施例，一种半导体结构包括：第一电极；第二电极，其位于所述第一电极上方；第三电极，其位于所述第二电极上方；第一绝缘层，其介于所述第一电极与所述第二电极之间；及第二绝缘层，其介于所述第二电极与所述第三电极之间；其中所述第三电极包括第一底面及第二底面，所述第一底面及所述第二底面处于不同水平，且所述第一底面的宽度大于所述第二底面的宽度。

根据本发明的实施例，一种形成半导体结构的方法包括：接收包括第一电极及所述第一电极上的第一绝缘层的衬底；在所述第一绝缘层上形成第一导电层；移除所述第一导电层的部分以在所述第一绝缘层上形成图案化第一导电层且暴露所述第一绝缘层的第一部分；及移除所述图案化第一导电层的部分以形成第二电极且暴露所述第一绝缘层的第二部分，其中所述第一绝缘层的所述第二部分的厚度大于所述第一绝缘层的所述第一部分的厚度。

附图说明

参考从结合附图阅读的以下详细描述最佳理解本发明实施例的方面。应注意，根据行业标准做法，各种构件未按比例绘制。实际上，为使讨论清楚，可任意增大或减小各种构件的尺寸。

图1是表示根据本发明实施例的方面的用于制造半导体结构的方法的流程图。

图2A到图2M是说明根据一或多个实施例中的本发明实施例的方面所建构的各个制造阶段中的半导体结构的示意图。

具体实施方式

以下揭露提供用于实施所提供目标的不同特征的许多不同实施例或实例。下文将描述元件及布置的特定实例以简化本发明实施例。当然，这些仅为实例且不意在限制。例如，在以下描述中，使第一构件形成于第二构件上方或第二构件上可包含其中形成直接接触的所述第一构件及所述第二构件的实施例，且也可包含其中额外构件可形成于所述第一构件与所述第二构件之间使得所述第一构件及所述第二构件可不直接接触的实施例。另外，本发明实施例可在各种实例中重复元件符号及/或字母。此重复是为了简单及清楚且其本身不指示所讨论的各种实施例及/或配置之间的关系。