[发明专利]化学液体纯化装置及使用所述装置的纯化方法

说明书

本公开涉及一种化学液体纯化装置，包括槽体、回流管、液体运送泵、过滤装置及管道。槽体具有连通至槽体内的存储空间的液体通道口及循环口。回流管的一端连接至循环口且另一端延伸至存储空间。液体运送泵及过滤装置位于槽体外部、液体通道口与循环口之间。管道将液体运送泵及过滤装置连接至液体通道口及循环口。本公开更涉及一种使用所述的化学液体纯化装置的纯化方法。据此，可在纯化装置中执行过滤循环。因此，可简化传统方法中所需要的溶剂装填工艺及溶剂填充工艺，且可改善制造时间。

技术领域

本发明涉及一种纯化装置，尤其涉及一种化学液体纯化装置及使用所 述装置的纯化方法。

背景技术

半导体行业已实现了电子组件的集成密度的快速提高，此源自组件大 小的连续减小。最终，更多更小的组件被整合至给定面积中。这些提高主 要是由于新精度及高分辨率处理技术的发展。

在制造高分辨率集成电路期间，各种处理液体将会接触裸露的晶片或 膜涂布的晶片。举例来说，制作精细金属内连通常涉及在用复合液体来涂 布基础材料以形成抗蚀剂膜之前用预润湿液体来涂布基础材料的程序。此 后，施加显影剂溶液和/或冲洗溶液以形成抗蚀剂图案。已知含有适当成分 及各种添加剂的这些处理液体是集成电路(integratedcircuit，IC)晶片污染 的来源。

可以推测，即使将微量(trace amount)的污染物混合至这些化学液体 (例如晶片预润湿液体或显影剂溶液)中，所得电路图案仍可具有缺陷。 已知存在非常低的金属杂质水平(低至1.0ppt(万亿分率)会妨碍半导体 器件的性能及稳定性。此外，端视金属污染物的种类而定，氧化物性质可 能劣化，会形成不准确的图案，半导体电路的电性能受损，此最终可不利 地影响制造良率。

例如金属杂质、粗颗粒、金属颗粒、有机杂质、水分等杂质污染可能 会在制造化学液体的各阶段期间被无意地引入化学液体中。此种实例包括 以下情形，其中杂质存在于原材料中，或源自在对原材料或化学液体进行 运输、存储或反应时使用的容器设备、反应器皿等，或为当制造化学液体 时产生的副产物或剩余的未反应的反应物。

因此，为形成高精度及超精细的半导体电子电路，在半导体处理的各 阶段中使用的化学液体(例如预润湿液体、抗蚀剂溶液、显影剂溶液、剥 离溶液、冲洗溶液及涂布溶液等)需要显著的质量改进，且必须保持严格 的质量控制以避免在所得电路图案上产生缺陷。

传统上，在将这些先进溶剂(处理液体或化学液体)填充至成品包装 (例如槽车)中之前，是通过过滤循环将这些先进溶剂处理若干次以获得 低颗粒计数。此一般是通过分批循环方法来实现，其中溶剂被装入混合槽 中并通过过滤循环进行处理以减少颗粒。然而，分批循环方法存在许多缺 点，例如制造时间及设施调查成本。举例来说，由于需要将溶剂装入混合 槽的工艺以及将纯化的溶剂/液体填充至成品包装中的另一溶剂填充工艺，因此将会增加制造时间。另一方面，使用混合槽还会增加设施调查成本。

因此，需要改进纯化方法以使得可在降低制造时间及设施调查成本的 同时获得高质量(低颗粒)的化学液体。

发明内容

本公开涉及一种纯化装置，其中可在纯化装置中执行过滤循环。因此， 可简化传统方法中所需要的溶剂装填工艺及溶剂填充工艺，且可改善制造 时间。

根据本公开的一个实施例，提供一种包括槽体、回流管、液体运送泵、 过滤装置及管道的化学液体纯化装置。所述槽体具有连通至所述槽体内的 存储空间的液体通道口及循环口。所述回流管的一端连接至所述循环泵， 且所述回流管的另一端延伸至所述存储空间。所述液体运送泵及所述过滤 装置位于所述槽体外部、所述液体通道口与所述循环口之间。所述管道将 所述液体运送泵及所述过滤装置连接至所述液体通道口及所述循环口。

在一些实施例中，所述化学液体纯化装置还包括抽取管，所述抽取管 的一端连接至所述液体通道口且另一端延伸至所述存储空间的底部。