[发明专利]一种半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 202010460632.1 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN111584361A | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 刘长振;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件的形成方法包括：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有场氧化层；
形成保护层，所述保护层覆盖所述场氧化层；
形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖所述保护层；
以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述保护层以形成图形化的保护层，所述图形化的保护层暴露出部分所述场氧化层；
去除所述图形化的光刻胶层，暴露出所述图形化的保护层；
以所述图形化的保护层为掩膜刻蚀暴露出的所述场氧化层，以使所述场氧化层的侧壁与底壁之间的角度呈锐角。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述锐角为40°～60°。
3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层为氮氧化层。
4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度至少为30nm。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述保护层时，采用的刻蚀方法为干法刻蚀。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在以所述图形化的保护层为掩膜刻蚀暴露出的所述场氧化层时，采用的刻蚀方法为湿法刻蚀。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底表面形成有垫氧化层，所述场氧化层覆盖所述垫氧化层，并且在刻蚀暴露出的所述场氧化层后，暴露出部分所述垫氧化层。
8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在以所述图形化的保护层为掩膜刻蚀暴露出的所述场氧化层之后，所述半导体器件的形成方法还包括：
去除所述图形化的保护层，暴露出剩余的所述场氧化层；以及，
形成栅极层，所述栅极层覆盖暴露出的所述垫氧化层以及部分所述场氧化层。
9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述栅极层为多晶硅层。
10.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，通过干法刻蚀和/或湿法刻蚀去除所述图形化的保护层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
