[发明专利]一种半导体器件的形成方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的形成方法，通过形成保护层，所述保护层覆盖场氧化层，然后形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖所述保护层；接着，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述保护层，以形成图形化的保护层，所述图形化的保护层暴露出部分所述场氧化层；接着，去除所述图形化的光刻胶层，并以所述图形化的保护层为掩膜刻蚀暴露出的所述场氧化层，以使所述场氧化层的侧壁与底壁之间的角度呈锐角。由于在刻蚀暴露出的所述场氧化层之前去除了所述图形化的光刻胶层，由此，在刻蚀暴露出的所述场氧化层时，可以避免所述图形化的光刻胶层的剥落，从而解决光刻胶层剥落造成的缺陷的问题。

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件的形成方法。

背景技术

BCD工艺为在同一芯片上制作双极晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)、互补型金属氧化物半导体(CMOS)、扩散金属氧化物半导体(DMOS)的工艺。在采用BCD工艺进行制备LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)晶体管时，需要在半导体衬底上形成场氧化层(Field Oxide，FOX，简称场氧)，以用于半导体器件的隔离，例如隔离半导体器件表面的漏电流。其制造工艺通常包括如下步骤，步骤一，提供半导体衬底；步骤二，在半导体衬底上形成场氧化层；步骤三，在场氧化层上形成图形化的光刻胶层；步骤四，以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述场氧化层，以使所述场氧化层以一定角度相对所述半导体衬底倾斜。但在执行步骤四，刻蚀所述场氧化层时，会造成大块的光刻胶层的剥落，剥落后的光刻胶层会污染所述场氧化层甚至会污染所述半导体衬底，从而会造成缺陷。因此，需要提供一种半导体器件的制造方法，以避免光刻胶层剥落造成的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的形成方法，以解决光刻胶层剥落造成的缺陷的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有场氧化层；

形成保护层，所述保护层覆盖所述场氧化层；

形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖所述保护层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述保护层以形成图形化的保护层，所述图形化的保护层暴露出部分所述场氧化层；

去除所述图形化的光刻胶层，暴露出所述图形化的保护层；

以所述图形化的保护层为掩膜刻蚀暴露出的所述场氧化层，以使所述场氧化层的侧壁与底壁之间的角度呈锐角。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，所述锐角为40°～60°。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，所述保护层为氮氧化层。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，所述保护层的厚度至少为30nm。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，在刻蚀所述保护层时，采用的刻蚀方法为干法刻蚀。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，在以所述图形化的保护层为掩膜刻蚀暴露出的所述场氧化层时，采用的刻蚀方法为湿法刻蚀。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，所述半导体衬底表面形成有垫氧化层，所述场氧化层覆盖所述垫氧化层，并且在刻蚀暴露出的所述场氧化层后，暴露出部分所述垫氧化层。

可选的，在所述的半导体器件的形成方法中，在以所述图形化的保护层为掩膜刻蚀暴露出的所述场氧化层之后，所述半导体器件的形成方法还包括：

去除所述图形化的保护层，暴露出剩余的所述场氧化层；以及，