[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

基板，所述基板包括逻辑电路；

存储器单元阵列，所述存储器单元阵列设置在所述基板上；

第一导电组，所述第一导电组包括联接到所述存储器单元阵列的第一上源极线和多条位线，以及联接到所述逻辑电路的第一上布线，其中，所述多条位线彼此分隔开，并且所述多条位线与所述第一上源极线分隔开；

绝缘结构，所述绝缘结构覆盖所述第一导电组；

第二导电组，所述第二导电组包括与所述第一上源极线和所述多条位线交叠的第二上源极线，以及与所述第一上布线交叠的第二上布线，所述第二导电组设置在所述绝缘结构上；

上源极接触部，所述上源极接触部嵌入在所述绝缘结构中，

其中，所述上源极接触部包括从所述第一上源极线朝向所述第二上源极线延伸的第一接触图案和从所述第一接触图案的侧壁延伸以与所述多条位线交叠的屏蔽图案。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述上源极接触部还包括从所述屏蔽图案朝向所述第二上源极线延伸的多个第二接触图案。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括穿过所述绝缘结构并且从所述第一上布线朝向所述第二上布线延伸的第三接触图案。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二上布线是被配置为传送电源电压和接地电压中的至少一者的电源线。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述绝缘结构设置在所述多条位线和所述屏蔽图案之间。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二导电组包括电阻比所述上源极接触部的电阻低的导电材料。

7.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

沟道结构，所述沟道结构从下源极线延伸；

栅极层叠结构，所述栅极层叠结构包括围绕所述沟道结构并且彼此交替层叠的层间绝缘层和导电图案；

下源极接触部，所述下源极接触部与所述沟道结构平行地从所述下源极线延伸；

位线，所述位线与所述栅极层叠结构交叠并且联接到所述沟道结构；以及

第一上源极线，所述第一上源极线联接到所述下源极接触部。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括覆盖所述位线和所述第一上源极线的绝缘结构。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括设置在所述绝缘结构上以与所述位线和所述第一上源极线交叠的第二上源极线。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括在所述第二上源极线和所述位线之间嵌入在所述绝缘结构中的屏蔽图案。

11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括穿过所述绝缘结构和所述屏蔽图案并且从所述第一上源极线朝向所述第二上源极线延伸的第一接触图案。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，所述屏蔽图案与所述第一接触图案的侧壁接触并且围绕所述第一接触图案的侧壁。

13.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括穿过所述绝缘结构并且从所述屏蔽图案朝向所述第二上源极线延伸的多个第二接触图案。

14.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，该半导体存储器装置还包括：

基板，所述基板设置在所述下源极线下方并且包括逻辑电路；以及

电源线，所述电源线电联接到所述逻辑电路并且设置在所述绝缘结构上。