[发明专利]硅基白光OLED色饱和度的调节方法有效
申请号: | 202010462727.7 | 申请日: | 2020-05-27 |
公开(公告)号: | CN111668394B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 吕磊;赵铮涛;晋芳铭 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 钟雪 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 白光 oled 饱和度 调节 方法 | ||
1.一种硅基白光OLED色饱和度的调节方法,其特征在于,所述方法具体包括如下步骤:
S1、将阳极与发光层之间的有机层B厚度定义为L1,发光层与阴极之间的有机层D厚度定义为L2;
S2、随机确定有机层D的初始厚度值,基于有机层B厚度与CIE-y关系式来确定有机层B的厚度值L1;
S3、基于有机层B的厚度值L1,确定有机层D厚度与CIE-x、CIE-y关系式,令CIE-x=CIE-y=0.33,计算出有机层D厚度L2;
S4、分别基于厚度值L1和厚度值L2对有机层B和有机层D的厚度进行调整;
有机层B厚度值L1的确定方法具体包括如下步骤:
S21、随机确定有机层D的初始厚度值,在有机层D的初始厚度值下,获取有机层B不同厚度值下的CIE-x值及CIE-y值;
S22、构建以有机层B的厚度值为自变量,分别以CIE-x及CIE-y为因变量的两个曲线;
S23、获取以CIE-y为因变量的曲线拐点,将所述拐点对应厚度值作为有机层B的厚度值L1;
有机层D厚度值L2的确定方法具体包括如下步骤:
S31、在有机层B的厚度值L1下,获取有机层厚度D不同厚度值下的CIE-x值及CIE-y值;
S32、构建以有机层D的厚度值为自变量,分别以CIE-x及CIE-y为因变量的两个曲线;
S33、获取CIE-x值、CIE-y值均为0.33时的两个有机层D厚度值,两个有机层D厚度值的平均值即为厚度值L2。
2.如权利要求1所述硅基白光OLED色饱和度的调节方法,其特征在于,步骤S22中两个曲线的拟合度大于设定的拟合度阈值。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽熙泰智能科技有限公司,未经安徽熙泰智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010462727.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择