[发明专利]硅基白光OLED色饱和度的调节方法

说明书

本发明公开了一种硅基白光OLED色饱和度的调节方法，具体包括如下步骤：S1、将阳极与发光层之间的有机层B厚度定义为L1，发光层与阴极之间的有机层D厚度定义为L2；S2、随机确定有机层D的初始厚度值，基于有机层B厚度与CIE‑y关系式来确定有机层B的厚度值L1；S3、基于有机层B的厚度值L1，确定有机层D厚度与CIE‑x、CIE‑y关系式，令CIE‑x＝CIE‑y＝0.33，计算出有机层D厚度L2；S4、分别基于厚度值L1和厚度值L2对有机层B和有机层D的厚度进行调整。WOLED的光源的CIE接近(0.33,0.33)，提高WOLED的色纯度的同时，对WOLED的效率影响较小。

技术领域

本发明属于WOLED器件技术领域，更具体地，本发明涉及一种硅基白光OLED色饱和度的调节方法。

背景技术

与传统的AMOLED显示技术相比，硅基OLED微显示以单晶硅芯片为基底并借助于成熟的CMOS工艺使其像素尺寸更小、集成度更高，可制作成媲美大屏显示的近眼显示产品而受到广泛关注。基于其技术优势和广阔的市场，在军事以及消费电子领域，硅基OLED微显示都将掀起近眼显示的新浪潮，为用户带来前所未有的视觉体验。

现有的硅基OLED全彩化实现的方式大多数采用WOLED(白光OLED)+CF(彩色滤光片)技术，其中的WOLED一般为single的B+RG结构或者tandem结构，而这两种结构的WOLED容易出现颜色漂移的现象，其主要原因是在同样长度的微腔下，RGB三种颜色波长得到谐振加强的程度不一样，导致最后颜色出现漂移，CIE与标准的(0.33，0.33)相差较大。

常用调节OLED光学微腔的方法是通过调节HTL层的厚度来改变OLED的光学厚度来改变整个微腔结构的总腔长，从而实现对某一特定波长下光进行谐振加强从而提高OLED色纯度，但这种调节OLED的微腔的方法只适用于单色光。白光属于复合光，单独调节其中的有机层来改变光学厚度只能加强其中的一种颜色变化，对另一种颜色的光会起到干涉相消的负面作用，最终导致发出的白光颜色漂移，即白光色饱和度差。

发明内容

本发明提供一种硅基白光OLED色饱和度的调节方法，旨在提高WOLED的色纯度。

为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种硅基白光OLED色饱和度的调节方法，所述方法具体包括如下步骤：

S1、将阳极与发光层之间的有机层B厚度定义为L1，发光层与阴极之间的有机层D厚度定义为L2；

S2、随机确定有机层D的初始厚度值，基于有机层B厚度与CIE-y关系式来确定有机层B的厚度值L1；

S3、基于有机层B的厚度值L1，确定有机层D厚度与CIE-x、CIE-y关系式，令CIE-x＝CIE-y＝0.33，计算出有机层D厚度L2；

S4、分别基于厚度值L1和厚度值L2对有机层B和有机层D的厚度进行调整。

进一步的，有机层B厚度值L1的确定方法具体包括如下步骤：

S21、随机确定有机层D的初始厚度值，在有机层D的初始厚度值下，获取有机层B不同厚度值下的CIE-x值及CIE-y值；

S22、构建以有机层B的厚度值为自变量，分别以CIE-x及CIE-y为因变量的两个曲线；

S23、获取以CIE-y为因变量的曲线拐点，将所述拐点对应厚度值作为有机层B的厚度值L1。

进一步的，有机层D厚度值L2的确定方法具体包括如下步骤：

S31、在有机层B的厚度值L1下，获取有机层厚度D不同厚度值下的CIE-x值及CIE-y值；

S32、构建以有机层D的厚度值为自变量，分别以CIE-x及CIE-y为因变量的两个曲线；