[发明专利]三维半导体存储器件

权利要求书

1.一种三维半导体存储器件，包括：

水平图案，设置在外围电路结构上并且在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开；

存储器结构，分别设置在所述水平图案上，每个所述存储器结构包括三维布置的存储单元；

穿透绝缘图案，每个穿透绝缘图案设置在相邻的水平图案之间并且在与所述第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开，每个穿透绝缘图案邻接所述水平图案的侧表面，

贯通插塞，延伸穿过相应的穿透绝缘图案，以将所述存储器结构电连接到所述外围电路结构；以及

分离结构，设置在所述水平图案之间并且在所述第二方向上在所述穿透绝缘图案之间延伸并且连接到所述穿透绝缘图案。

2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述分离结构的底表面位于比所述贯通插塞的底表面高的高度处。

3.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述分离结构包括绝缘体，所述绝缘体与至少一个水平图案接触并且与所述穿透绝缘图案接触。

4.根据权利要求3所述的三维半导体存储器件，还包括：侧壁间隔物，围绕所述贯通插塞的侧表面，

其中，所述侧壁间隔物包括与所述绝缘体相同的绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述分离结构包括：

虚设插塞，包括与所述贯通插塞相同的导电材料并且在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上延伸；以及

虚设间隔物，围绕所述虚设插塞。

6.根据权利要求5所述的三维半导体存储器件，其中，所述虚设插塞的顶表面位于与所述贯通插塞的顶表面相同的高度处。

7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述分离结构包括：

虚设插塞，设置在所述水平图案之间；以及

虚设间隔物，介于所述虚设插塞和所述水平图案之间，

其中，所述虚设插塞包括在所述第二方向上延伸的水平部分和在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上从所述水平部分延伸的竖直部分，以及

当在所述第一方向上测量时，所述水平部分的宽度是所述竖直部分的宽度的至少1.5倍。

8.根据权利要求7所述的三维半导体存储器件，其中，所述虚设间隔物的一部分从所述水平部分与所述水平图案之间的区域延伸到所述水平部分与所述穿透绝缘图案之间的区域中。

9.根据权利要求7所述的三维半导体存储器件，其中，所述虚设间隔物的一部分设置在所述虚设插塞的底表面与所述外围电路结构的顶表面之间。

10.根据权利要求7所述的三维半导体存储器件，其中，所述虚设插塞的所述水平部分具有倒圆的侧表面。

11.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，所述分离结构包括：

虚设插塞，每个虚设插塞包括：竖直部分，在竖直方向上延伸并且在所述第二方向上彼此间隔开；以及共享水平部分，在所述第二方向上连接所述竖直部分；以及

虚设间隔物，围绕所述虚设插塞。

12.根据权利要求11所述的三维半导体存储器件，其中，当在所述第一方向上测量时，所述竖直部分的宽度大于所述贯通插塞的直径。

13.根据权利要求1所述的三维半导体存储器件，其中，每个所述存储器结构包括：

堆叠，包括竖直堆叠在每个所述水平图案上的电极，所述堆叠在每个所述水平图案的边缘区域中具有阶梯结构；以及

竖直结构，穿透所述堆叠，

其中，所述穿透绝缘图案设置在相邻的堆叠的所述阶梯结构之间。