[发明专利]三维半导体存储器件

说明书

一种三维半导体存储器件可以包括：水平图案，设置在外围电路结构上并且彼此间隔开；存储器结构，分别设置在水平图案上，每个存储器结构包括存储单元的三维布置。穿透绝缘图案和分离结构可以使水平图案彼此隔离。贯通过孔可以延伸穿过穿透绝缘图案，以将外围电路结构的逻辑电路连接到存储器结构。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求于2019年6月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0075814的优先权，其全部内容通过引用一并于此。

技术领域

本公开涉及一种三维半导体存储器件及其制造方法，具体地，涉及一种高度集成的三维半导体存储器件及其制造方法。

背景技术

需要半导体器件的更高集成度以满足消费者对优异性能和低廉价格的需求。就半导体器件而言，由于其集成度是决定产品价格的重要因素，因此特别需要提高集成度。二维或平面半导体器件的集成通常高度依赖于单位存储单元所占据的面积，因此受到精细图案形成技术水平的极大影响。然而，增加图案精细度所需的昂贵处理设备对增加二维或平面半导体器件的集成度设置了现实的限制。因此，近期已经提出了包括三维布置的存储单元的三维半导体存储器件。

发明内容

本发明构思的实施例涉及一种集成密度增加的三维半导体存储器件。

本发明构思的实施例还涉及制造三维半导体存储器件的方法。

根据一些实施例，一种三维半导体存储器件包括：设置在外围电路结构上并且彼此间隔开的水平图案；分别设置在水平图案上的存储器结构，每个存储器结构包括存储单元的三维布置。穿透绝缘图案和分离结构可以使水平图案彼此隔离。贯通过孔可以延伸穿过穿透绝缘图案，以将外围电路结构的逻辑电路连接到存储器结构。

附图说明

通过以下结合附图的简要描述，将更清楚地理解示例实施例。附图表示本文中所描述的非限制性示例实施例。

图1是示出其上集成了根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的衬底的图。

图2是示意性地示出根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的透视图。

图3是根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的示意性平面视图。

图4A、图4B和图4C是示意性地示出根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件中的单元阵列结构的一些示例的平面视图。

图5A、图5B和图5C是示出根据本发明构思的一些实施例的三维半导体存储器件的一部分的平面视图。

图6A、图6B、图6C和图6D是分别沿图5A的I-I’线、II-II’线、III-III’线和IV-IV’线截取以示出根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的截面视图。

图7A和图7B是分别沿图5A的I-I’线和II-II’线截取以示出根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的截面视图。

图8A、图8B和图8C是分别沿图5A的I-I’线、II-II’线和IV-IV’线截取以示出根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的截面视图。

图9A是示出根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的一部分的平面视图。

图9B是沿图9A的V-V’线截取以示出根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的截面视图。

图10A是示出根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的一部分的平面视图。

图10B是沿图10A的VI-VI’线截取以示出根据本发明构思的实施例的三维半导体存储器件的截面视图。