[发明专利]半导体封装结构及其制造方法在审
申请号: | 202010466454.3 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN113345848A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 曾吉生;赖律名;黄敬涵;赖虢桦;柳辉忠 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L25/07;H01L25/16;B81B7/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装结构,其包括:
衬底;
第一电子组件,其安置在所述衬底上,所述第一电子组件具有面对所述衬底的第一表面的背面表面;及
支撑组件,其安置在所述第一电子组件的所述背面表面与所述衬底的所述第一表面之间,
其中所述第一电子组件的所述背面表面具有连接到所述支撑组件的第一部分及从所述支撑组件暴露的第二部分。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其进一步包括安置在所述第一电子组件的所述背面表面与所述衬底的所述第一表面之间的多个支撑组件,其中所述支撑组件彼此分隔开。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述第一电子组件的所述背面表面的所述第一部分的面积为所述第一电子组件的所述背面表面的面积的约3%到约50%。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述支撑组件、所述第一电子组件及所述衬底界定腔,所述腔的热导率小于所述支撑组件的热导率。
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构,其进一步包括盖,所述盖安置在所述衬底上以形成密闭性密封空间,其中所述腔的热导率小于所述密闭性密封空间的热导率。
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述第一电子组件的所述背面表面与所述衬底的所述第一表面之间的距离处于约15微米到约500微米的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述支撑组件的热导率小于所述衬底的热导率。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其进一步包括第二电子组件,所述第二电子组件安置在邻近于所述第一电子组件的有源表面的热源区上。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其进一步包括粘着层,所述粘着层将所述支撑组件连接到所述第一电子组件的所述背面表面或所述衬底的所述第一表面。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构,其中所述第一电子组件安置在所述衬底的腔内。
11.一种半导体封装结构,其包括:
衬底;
第一电子组件,其安置在所述衬底上,所述第一电子组件具有面对所述衬底的第一表面的背面表面;及
第一绝缘体及第二绝缘体,其安置在所述第一电子组件的所述背面表面与所述衬底的所述第一表面之间,
其中所述第一绝缘体及所述第二绝缘体的等效热阻大于所述衬底的热阻。
12.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其中所述第一绝缘体的热阻大于所述第二绝缘体的热阻。
13.根据权利要求12所述的半导体封装结构,其进一步包括安置在所述第一电子组件的所述背面表面与所述衬底的所述第一表面之间的第三绝缘体,其中所述第三绝缘体的热阻大于所述第二绝缘体的所述热阻。
14.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其中所述第一绝缘体为空气、气体或真空。
15.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其中所述第一电子组件的所述背面表面包括接触所述第一绝缘体的第一区域及连接到所述第二绝缘体的第二区域,且所述第一区域大于所述第二区域。
16.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其中所述第二绝缘体为玻璃。
17.根据权利要求11所述的半导体封装结构,其进一步包括盖,所述盖安置在所述衬底上以形成密闭性密封空间,其中所述密闭性密封空间的热阻大于所述第二绝缘体的热阻。
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