[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体封装结构。所述半导体封装结构包含衬底、第一电子组件及支撑组件。所述第一电子组件安置在所述衬底上。所述第一电子组件具有面对所述衬底的第一表面的背面表面。所述支撑组件安置在所述第一电子组件的所述背面表面与所述衬底的所述第一表面之间。所述第一电子组件的所述背面表面具有连接到所述支撑组件的第一部分及从所述支撑组件暴露的第二部分。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装结构，特别涉及一种具有振荡器芯片的半导体封装结构。

背景技术

晶体振荡器包含由石英晶体坯(所述石英晶体坯密闭性囊封在容器中)构成的晶体单元，及使用晶体单元的振荡电路。在各种电子设备中，晶体振荡器被用作频率及时间的参考源。此类晶体振荡器中的一者为恒温晶体振荡器(OCXO)，它使晶体单元的操作温度保持恒定。因为晶体单元的操作温度无论环境温度如何皆保持恒定，所以OCXO能提供特别高的频率稳定性，并且表现出很小的频率偏差。举例来说，此类OCXO用于例如基站等通信设施中。

发明内容

在一些实施例中，半导体封装结构包含衬底、第一电子组件及支撑组件。第一电子组件安置在衬底上。第一电子组件具有面对衬底的第一表面的背面表面。支撑组件安置在第一电子组件的背面表面与衬底的第一表面之间。第一电子组件的背面表面具有连接到支撑组件的第一部分及从支撑组件暴露的第二部分。

在一些实施例中，半导体封装结构包含衬底、第一电子组件、第一绝缘体及第二绝缘体。第一电子组件安置在衬底上。第一电子组件具有面对衬底的第一表面的背面表面。第一绝缘体及第二绝缘体安置在第一电子组件的背面表面与衬底的第一表面之间。第一绝缘体及第二绝缘体的等效热阻大于衬底的热阻。

在一些实施例中，制造半导体封装结构的方法包含(a)提供具有腔的陶瓷衬底；(b)将绝缘体安置在腔的底表面上；及(c)将第一电子组件安置在绝缘体上，第一电子组件的背面表面具有连接到绝缘体的第一部分及从绝缘体暴露的第二部分。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述容易理解本发明的方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制。事实上，为论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的截面图。

图2A示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的截面图。

图2B示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的截面图。

图3示出了根据本发明的一些实施例的半导体封装结构的截面图。

图4A、图4B、图4C、图4C'、图4D及图4E示出了根据本发明的一些实施例的制造半导体封装结构的方法。

图5A及图5B示出了根据本发明的一些实施例的制造半导体封装结构的方法。

具体实施方式

贯穿所述图式及具体实施方式使用共同参考编号以指示相同或类似组件。本发明的实施例将从结合随附图式的以下详细描述更易于理解。

例如“以上”、“以下”、“向上”、“左”、“右”、“向下”、“顶部”、“底部”、“竖直”、“水平”、“侧”、“较高”、“下部”、“上部”、“上方”、“下方”等空间描述词是针对某个组件或一群组件指定的，或针对一个组件或一群组件的某个平面指定的，组件的定向如关联附图中所示。应理解，本文中所使用的空间描述词仅出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置，其限制条件为本发明的实施例的优点不因此布置而有偏差。