[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

层堆叠体，所述层堆叠体具有第一掺杂类型的多个第一半导体层(110)和与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层(120)，其中，所述第一半导体层(110)和所述第二半导体层(120)交替布置在所述层堆叠体的第一表面(101)和第二表面(102)之间；

第一半导体器件(M1)的第一半导体区(15)，所述第一半导体器件(M1)的所述第一半导体区(15)与所述多个第一半导体层(110)毗连；

所述第一半导体器件(M1)的至少一个第二半导体区(14)，其中，所述至少一个第二半导体区(14)中的每者与所述多个第二半导体层(120)的至少其中之一毗连，并且与所述第一半导体区(15)间隔开；以及

至少一个阻挡层(40)，所述至少一个阻挡层(40)被配置为形成扩散阻挡部，其中，所述至少一个阻挡层(40)中的每者被布置为平行于所述第一表面(101)以及平行于所述第二表面(102)，并且与所述第一半导体层(110)之一相邻或者与所述第二半导体层(120)之一相邻，或与所述第一半导体层(110)之一和所述第二半导体层(120)之一这两者相邻。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一个阻挡层(40)中的每者是：

包括半导体材料以及注入到所述半导体材料中的多个外来原子的未掺杂半导体层；或者

非半导体层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，满足下述各项的至少其中之一：

所述半导体材料包括硅；以及

所述外来原子或所述非半导体层包括氧、氮、碳、氟和碳氧的至少其中之一。

4.根据权利要求1到3中的任何一项所述的半导体器件，其中，

所述多个第一半导体层(110)中的每者在垂直方向(z)上的厚度(d₁₁₀)处于100nm和5μm之间，其中，所述垂直方向(z)垂直于所述第一表面(101)；

所述多个第二半导体层(120)中的每者在所述垂直方向(z)上的厚度(d₁₂₀)处于100nm和5μm之间；并且

所述至少一个阻挡层(40)中的每者在所述垂直方向(z)上的厚度(d₄₀)处于1nm和100nm之间。

5.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，其中，

所述至少一个阻挡层(40)之一被布置为与所述第一表面(101)相邻；或者

所述至少一个阻挡层(40)之一被布置为与所述第二表面(102)相邻；

或者所述至少一个阻挡层(40)之一被布置为与所述第一表面(101)和所述第二表面(102)这两者相邻。

6.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，其中，阻挡层(40)布置在所述多个第一半导体层(110)中的每者和其邻接的第二半导体层(120)中的每者之间。

7.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，还包括第三半导体层(130)，所述第三半导体层(130)与所述层堆叠体(110、120)、以及所述第一半导体区(15)和所述至少一个第二半导体区(14)中的每者毗连，其中，所述第三半导体层(130)包括在第一方向(x)上布置在所述第一半导体区(15)和所述至少一个第二半导体区(14)之间的第一区(131)。