[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

一种半导体器件包括：具有第一掺杂类型的多个第一半导体层和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层的层堆叠体，其中第一半导体层和第二半导体层交替布置在层堆叠体的第一表面和第二表面之间。该半导体器件还包括：与多个第一半导体层毗连的第一半导体器件的第一半导体区；第一半导体器件的至少一个第二半导体区，其中，至少一个第二半导体区中的每者与多个第二半导体层的至少其中之一毗连，并且与第一半导体区间隔开；以及被配置为形成扩散阻挡部的至少一个阻挡层，其中，至少一个阻挡层中的每者被布置为平行于第一表面和第二表面，并且与第一半导体层之一相邻或者与第二半导体层之一相邻，或与两者相邻。

技术领域

本公开总体上涉及半导体器件，尤其涉及具有二极管装置或晶体管装置的半导体器件。

背景技术

晶体管装置往往包括形成于半导体主体中的多个晶体管器件。例如，超结晶体管器件往往包括第一掺杂类型(导电类型)的至少一个漂移区和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型(导电类型)的补偿区。漂移区和补偿区被连接为使得，在晶体管器件的导通状态(开启状态)下，电流可以在漂移区中流动，而在截止状态(关闭状态)下，耗尽区在漂移区和补偿区中扩张，从而阻止电流流动通过漂移区。因此，包括多个超结晶体管器件的晶体管装置包括多个漂移区和补偿区。晶体管装置的漂移区和补偿区可以被实施为具有第一掺杂类型的多个第一半导体层和第二掺杂类型的多个第二半导体层的层堆叠体。

第一或第二掺杂类型的半导体层可以是通过在半导体材料层中形成第一类型或第二类型的注入区并且随后进行后续的扩散工艺而形成的。一般而言，希望在扩散之后处于这样的半导体层中的掺杂剂原子的数量尽可能高。如果第一类型的注入区和第二类型的注入区之间的距离小，那么在扩散工艺期间可能发生相互扩散。也就是说，第一类型的半导体层和第二类型的半导体层之间的转变可能不够锐利，其可能对半导体器件的功能造成不利影响。半导体器件的功能(尤其是导电性)还可能受到接近层堆叠体的外表面的杂质填隙子的不利影响。

希望提供一种具有高导电性并且对填隙杂质更鲁棒的半导体器件，并且希望提供用于制造这种半导体器件的快速且经济有效的方法。

发明内容

一个示例涉及一种半导体器件，其包括具有第一掺杂类型的多个第一半导体层和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层的层堆叠体，其中，第一半导体层和第二半导体层交替布置在该层堆叠体的第一表面和第二表面之间。该半导体器件还包括：第一半导体器件的第一半导体区，其与所述多个第一半导体层毗连；该第一半导体器件的至少一个第二半导体区，其中，所述至少一个第二半导体区中的每者与所述多个第二半导体层的至少其中之一毗连，并且与第一半导体区间隔开；以及被配置为形成扩散阻挡部的至少一个阻挡层，其中，所述至少一个阻挡层中的每者被布置为平行于第一表面和平行于第二表面，并且与第一半导体层之一相邻或者与第二半导体层之一相邻，或与两者相邻。

另一个示例涉及一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括：形成层堆叠体，该层堆叠体具有第一掺杂类型的多个第一半导体层、与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二半导体层、以及被配置为形成扩散阻挡部的至少一个阻挡层，其中，所述至少一个阻挡层中的每者被布置为平行于第一表面和第二表面，并且与第一半导体层之一相邻或者与第二半导体层之一相邻，或与两者相邻。该方法还包括：形成第一半导体区，使得所述第一半导体区与所述多个第一半导体层毗连；以及形成至少一个第二半导体区，使得所述至少一个第二半导体区中的每者与所述多个第二半导体层的至少其中之一毗连并且与所述第一半导体区间隔开。

附图说明

下文将参考附图解释示例。附图用于对某些原理进行说明，因而仅示出了理解这些原理所必需的方面。附图未按比例绘制。在附图中，相同的附图标记表示类似的特征。

图1A-图1C示意性地示出了包括集成在一个半导体主体中的第一晶体管器件和第二晶体管器件的晶体管装置的透视截面图(图1A)、垂直截面图(图1B)和水平截面图(图1C)；