[发明专利]一种光学传感器在审
申请号: | 202010467424.4 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN112018137A | 公开(公告)日: | 2020-12-01 |
发明(设计)人: | 段复元 | 申请(专利权)人: | 创王光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 传感器 | ||
1.一种光学传感器,包括:
一基材;
一晶体管,设在该基材上;
一介电层,设在该晶体管上;
一第一电极,设在该介电层上,其包括与该晶体管电性连接的一凹形部;
一第二电极,设在该第一电极上;
一光电二极管,设在该第一电极与第二电极间;以及
一间隙,被该第一电极的该凹形部围绕,且被该第一电极或该第二电极密封。
2.如权利要求1所述的光学传感器,其中该光电二极管及该第二电极的一部分衬接该第一电极的该凹形部,且该间隙被该第二电极密封。
3.如权利要求2所述的光学传感器,其中该第二电极包括:
一第一部分,衬接该光电二极管及该第一电极的该凹形部;以及
一第二部分,覆盖该第一部分以密封该间隙。
4.如权利要求3所述的光学传感器,其中该第二部分的一厚度大在该第二电极的该第一部分的一厚度。
5.如权利要求3所述的光学传感器,其中该第二电极的该第二部分包括一第一凸部,设在该间隙上方并远离该间隙而突起。
6.如权利要求5所述的光学传感器,还包括:
一抗反射层,设在该第二电极的该第一凸部上方。
7.如权利要求5所述的光学传感器,其中该第二电极的该第二部分包括一第二凸部,其设在该间隙上方,与该第一凸部相邻,并朝向该间隙而突起。
8.如权利要求2所述的光学传感器,其中该第二电极的一厚度大于该第一电极的一厚度。
9.如权利要求1所述的光学传感器,其中该第一电极还包括一帽盖部覆盖该凹形部,且该间隙被该帽盖部与该第一电极的该凹形部所密封。
10.如权利要求8所述的光学传感器,其中该第一电极的该帽盖部包括一凹面部分,其是设在该间隙上方并面向该间隙。
11.如权利要求8所述的光学传感器,其中该第一电极的该帽盖部包括一凸部,其是设在该间隙上方并远离该间隙而突起。
12.如权利要求1所述的光学传感器1,其中该光电二极管衬接该第一电极,且包括一凸部设在该第一电极的该凸部上方。
13.如权利要求12所述的光学传感器,其中该第二电极衬接该光电二极管,且包括一凸部,其与该光电二极管的该凸部相应。
14.如权利要求12所述的光学传感器,还包括:
一抗反射层,衬接该光电二极管且包括一凸部设在该光电二极管的该凸部上方。
15.如权利要求9所述的光学传感器,其中该第一电极的一厚度大于该第二电极的一厚度。
16.如权利要求1所述的光学传感器,其中密封该间隙的该第一电极或该第二电极包括远离该间隙的一上表面,且该上表面有一凹陷部分与该间隙重叠。
17.如权利要求1所述的光学传感器,其中该基材包括一可挠式基材。
18.一光学传感器,包括:
一基材;
一晶体管,设在该基材上;
一介电层,设在该晶体管上;
一第一电极,设在该介电层上,其包括与该晶体管电性连接的一凹形部;
一第二电极,共形设在该第一电极上;
一光电二极管,设在该第一电极与第二电极间;
一抗反射层,设在该第二电极上;以及
一间隙,被该第一电极的该凹形部围绕,且设在该第二电极与该抗反射层的至少一部分之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的