[发明专利]基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法有效
申请号: | 202010467764.7 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111628045B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 朱辉;成秋云;黄心沿;刘帅;肖洁;吴得轶 | 申请(专利权)人: | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/66;H01L21/677;C23C16/50;C23C16/52;C23C16/54 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 戴玲 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 镀膜 检测 pecvd 表面 上下 方法 | ||
本发明公开了一种基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法,包括石墨舟就位、石墨舟上缓存架、进舟前镀膜检测、石墨舟进反应室、石墨舟出反应室、取片前镀膜检测、石墨舟返回插取片机等步骤。本发明在缓存架上设置检测石墨舟是否有无镀膜的装置,增加两步是否镀膜检测步骤,其一为机械手根据检测结果直接抓取缓存架上无镀膜的石墨舟放入推舟机构上,然后由推舟机构送入反应室内镀膜,可避免出现反应室内出现二次镀膜,其二为机械手根据检测结果抓取缓存架上有镀膜的石墨舟放在传送机构上,由传送机构送入插取片机进行取片,避免没有进行镀膜的硅片流入下一道工序,确保每一舟硅片完成镀膜,而且没有重复镀膜,保证了生产流程的顺畅。
技术领域
本发明涉及PECVD表面镀膜工序,尤其涉及一种基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法。
背景技术
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD设备包括三部分即气源柜、炉体柜和净化台,反应室位于炉体柜内;推舟机构、缓存架、机械手位于净化台内;传送机构连通净化台和插取片机)是指等离子体增强化学的气相沉积法。在PECVD表面镀膜工序中石墨舟是电池片的载体,硅片经过若干工序后加工成为太阳能电池片,表面镀膜是太阳能电池片加工的核心工序之一。石墨舟是太阳能电池片在表面镀膜工序中的载体,上一道工序中的花篮流经插片机,将电池片插进石墨舟。石墨舟经过移舟机构移到净化台下方,然后由机械手抓取放置在缓存架上,待反应室有空位时,机械手抓取石墨舟放入推舟机构,然后由推舟机构送进反应室进行镀膜。镀膜完成后,有推舟机构取出,然后由机械手抓取放置到缓存加冷却,待冷却完成后机械手抓取石墨舟放在净化台下面,经过移舟机构移到插片机,插入花篮送到下一道工序。因为缓存架既存放没有镀膜的舟,也有已经完成镀膜的舟,因此有将没有镀膜的石墨舟硅片送到下一道工序,也有将已经镀膜的石墨舟再次送入反应室镀膜,造成电池片生产过程混乱,未镀膜和重复镀膜的电池片效率降低。
目前还没有对石墨舟内电池片是否镀膜检测,现有技术中相近的技术是在插片机上增加检测模块,在电池片从花篮流出来以后进行检测,例如摄像头和光源,拍照检测电池片的碎片、隐裂、色差。现有技术还有在插片机内,电池片传输的输送线上增加X射线进行镀膜厚度、均匀性检测。但是这两种方式都是对在插片机内进行单片检测,可以检测进入石墨舟之前单片是否碎片、隐裂的,以及镀膜后进入下一道工序花篮前镀膜厚度、均匀性是否达到要求等检测,但是都没有进行石墨舟内硅片是否镀膜检测。因此,容易出现整舟重复镀膜或者整舟没有镀膜现象,影响整线生产效率和电池片的质量。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种避免出现反应室内出现二次镀膜以及避免没有进行镀膜的硅片流入下一道工序的基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法。
为解决上述技术问题,本发明采用以下技术方案:
一种基于镀膜检测的PECVD表面镀膜的上下料方法,包括以下步骤:
S1、石墨舟就位:经过插取片机插好片的石墨舟通过传送机构移动至PECVD的净化台下方;
S2、石墨舟上缓存架:机械手抓取石墨舟放到净化台的缓存架上等待;
S3、进舟前镀膜检测:对缓存架上的各石墨舟内的硅片进行是否有镀膜的检测,如无镀膜,反馈给机械手,待反应室有空位,机械手抓取缓存架上无镀膜的石墨舟放到推舟机构上;
S4、石墨舟进反应室:推舟机构将石墨舟送入反应室,进行镀膜工艺;
S5、石墨舟出反应室:工艺结束,推舟机构进入反应室取出石墨舟,机械手抓取工艺后的石墨舟放至缓存架上冷却;
S6、取片前镀膜检测:冷却结束,对缓存架上的各石墨舟内的硅片进行是否有镀膜的检测,如有镀膜,反馈给机械手,机械手抓取缓存架上有镀膜的石墨舟放至净化台下方的传送机构上;
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