[发明专利]一种基于耦合电容的手势识别方法、装置及系统有效

专利信息
申请号: 202010467794.8 申请日: 2020-05-28
公开(公告)号: CN111625147B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 舒兴军;管清竹;石爽;郑金龙;徐俊杰;王彦明;李卅;朱福安;安越;张亚东;高宗丽;王翠娥;刘帅南;杨胜伟;王立冬;崔利宝;杜润飞;张琦 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G06F3/04883 分类号: G06F3/04883;G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄丽
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 耦合 电容 手势 识别 方法 装置 系统
【权利要求书】:

1.一种基于耦合电容的手势识别方法,其特征在于,包括:

以电容触摸屏的接触面的中心点为原点建立空间直角坐标系,其中,所述空间直角坐标系的Z轴与所述接触面垂直;

获取第一传感器对应的所述电容触摸屏中的集成电路的输出引脚序号,确定所述输出引脚序号为至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的X轴坐标和Y轴坐标,其中,所述第一传感器为所述电容触摸屏中与所述至少一个操控体形成耦合电容且信号量的增值最大的传感器;

获取第一耦合电容值与第二耦合电容值之间的差值,根据所述差值,确定所述至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的Z轴坐标,其中,所述第一耦合电容值为所述Z轴坐标在预设区间之外时所述第一传感器与所述电容触摸屏中的薄膜晶体管TFT电源信号控制走线之间形成的耦合电容值,所述第二耦合电容值为所述Z轴坐标在预设区间之内时所述第一传感器与所述电容触摸屏中的TFT电源信号控制走线之间形成的耦合电容值;

根据所述至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的空间坐标的变化,生成所述至少一个操控体的运动轨迹,对所述运动轨迹进行识别,得到手势识别结果。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,获取第一耦合电容值与第二耦合电容值之间的差值,包括:

获取所述电容触摸屏中的集成电路的充电模块向所述第一传感器输入的电容值,其中,所述充电模块用于向所述电容触摸屏中信号量增加的传感器输入电容值以降低所述传感器的信号量;

确定所述电容值为所述第一耦合电容值与所述第二耦合电容值之间的差值。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,根据所述差值,确定所述至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的Z轴坐标,包括:

采用第一公式对所述差值进行相关运算,确定所述至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的Z轴坐标;

所述第一公式,具体为:

其中,d为所述至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的Z轴坐标,Cf为所述差值,ε为相对介电常数,S为所述至少一个操控体与所述第一传感器之间的正对面积,k为静电力常量。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,根据所述至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的空间坐标的变化,生成所述至少一个操控体的运动轨迹,包括:

判断所述至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的任一空间坐标中的Z轴坐标是否在预设区间之内;

若在,则确定所述任一空间坐标为有效空间坐标;

根据所述有效空间坐标的变化,生成所述至少一个操控体的运动轨迹。

5.一种基于耦合电容的手势识别装置,其特征在于,包括:

第一处理模块,用于以电容触摸屏的接触面的中心点为原点建立空间直角坐标系,其中,所述空间直角坐标系的Z轴与所述接触面垂直;

第一确定模块,用于获取第一传感器对应的所述电容触摸屏中的集成电路的输出引脚序号,确定所述输出引脚序号为至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的X轴坐标和Y轴坐标,其中,所述第一传感器为所述电容触摸屏中与所述至少一个操控体形成耦合电容且信号量的增值最大的传感器;

第二确定模块,用于获取第一耦合电容值与第二耦合电容值之间的差值,根据所述差值,确定所述至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的Z轴坐标,其中,所述第一耦合电容值为所述Z轴坐标在预设区间之外时所述第一传感器与所述电容触摸屏中的薄膜晶体管TFT电源信号控制走线之间形成的耦合电容值,所述第二耦合电容值为所述Z轴坐标在预设区间之内时所述第一传感器与所述电容触摸屏中的TFT电源信号控制走线之间形成的耦合电容值;

第二处理模块,用于根据所述至少一个操控体在所述空间直角坐标系下的空间坐标的变化,生成所述至少一个操控体的运动轨迹,对所述运动轨迹进行识别,得到手势识别结果。

6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述第一确定模块具体用于:

获取所述电容触摸屏中的集成电路的充电模块向所述第一传感器输入的电容值,其中,所述充电模块用于向所述电容触摸屏中信号量增加的传感器输入电容值以降低所述传感器的信号量;

确定所述电容值为所述第一耦合电容值与所述第二耦合电容值之间的差值。

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