[发明专利]集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

半导体衬底，具有前侧和后侧；

浅沟槽隔离区，延伸至半导体衬底的前侧内，并填充有介电材料；以及

第一电容器板和第二电容器板，从所述半导体衬底的前侧延伸至所述浅沟槽隔离区内，所述第一电容器板和所述第二电容器板分别具有第一侧壁结构和第二侧壁结构，所述第一侧壁结构和所述第二侧壁结构彼此基本平行并且通过所述浅沟槽隔离区的介电材料彼此分隔开，

所述集成电路还包括具有栅电极的晶体管，

或者，所述第一电容器板、所述第二电容器板、所述栅电极以及所述浅沟槽隔离区的顶表面齐平；

或者，所述栅电极下方的浅沟槽隔离区围绕着所述第一电容器板和所述第二电容器板以及所述栅电极下方的鳍。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一电容器板和所述第二电容器板具有第一底面和第二底面，并且所述第一底面和所述第二底面分别设置在距所述半导体衬底的前侧的第一深度处和第二深度处，所述第一深度和所述第二深度彼此相等。

3.根据权利要求2所述的集成电路，进一步包括：

第三电容器板，设置在所述浅沟槽隔离区中，其中，所述第三电容器板具有第三底面，所述第三底面设置在所述半导体衬底的前侧下方的第三深度处，其中，所述第一深度、所述第二深度和所述第三深度彼此相等或其中，所述第三深度不同于所述第一深度和所述第二深度。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一电容器板和所述第二电容器板具有第一底面和第二底面，并且所述第一底面和所述第二底面分别设置在距所述半导体衬底的前侧的第一深度处和第二深度处，所述第一深度和所述第二深度彼此不同。

5.根据权利要求4所述的集成电路，进一步包括：

第三电容器板，设置在所述浅沟槽隔离区中，其中，所述第三电容器板具有第三底面，所述第三底面设置在所述半导体衬底的前侧下方的第三深度处，其中，所述第一深度、所述第二深度和所述第三深度彼此不同。

6.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

第三电容器板，设置在所述浅沟槽隔离区中，其中，所述第一电容器板和所述第二电容器板通过第一距离彼此间隔开，并且所述第二电容器板和所述第三电容器板通过第二距离彼此间隔开，所述第二距离等于所述第一距离。

7.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

第三电容器板，设置在所述浅沟槽隔离区中，其中，所述第一电容器板和所述第二电容器板通过第一距离彼此间隔开，并且所述第二电容器板和所述第三电容器板通过第二距离彼此间隔开，所述第二距离不同于所述第一距离。

8.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

第三电容器板，设置在所述浅沟槽隔离区中；以及

金属线，在所述第一电容器板、所述第二电容器板和所述第三电容器板中的至少两个的上方水平延伸并直接将所述第一电容器板、所述第二电容器板和所述第三电容器板中的至少两个彼此连接。

9.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

第三电容器板，设置在所述浅沟槽隔离区中，其中，所述第二电容器板布置在所述第一电容器板和所述第三电容器板之间；以及

第四电容器板，设置在所述浅沟槽隔离区中，其中，所述第三电容器板布置在所述第二电容器板和所述第四电容器板之间，并且

其中，所述第一电容器板、所述第二电容器板、所述第三电容器板和所述第四电容器板在第一方向上彼此平行地延伸并且在所述第一方向上具有相等的长度，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上具有彼此对准的相应端部。