[发明专利]集成电路及其形成方法

说明书

一些实施例涉及包括半导体衬底的集成电路(IC)。浅沟槽隔离区向下延伸至半导体衬底的前侧内并填充有介电材料。第一电容器板和第二电容器板设置在浅沟槽隔离区中。第一电容器板和第二电容器板分别具有第一侧壁结构和第二侧壁结构，第一侧壁结构和第二侧壁结构彼此基本平行并且通过浅沟槽隔离区域的介电材料彼此分隔开。本发明的实施例还涉及集成电路的形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路及其形成方法。

背景技术

半导体制造工业中的趋势是在共用半导体衬底上集成不同的电路元件，包括逻辑、无源组件(诸如电容器和电阻器)、存储器、处理器、周边设备等。与在分隔开的集成电路(IC)上制造电路元件和然后在印刷电路板上彼此电连接这些电路元件相比，这种集成可以降低制造成本，简化制造过程并提高所得电路的运行速度。

发明内容

本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)，包括：半导体衬底，具有前侧和后侧；浅沟槽隔离区，延伸至半导体衬底的前侧内，并填充有介电材料；以及第一电容器板和第二电容器板，从所述半导体衬底的前侧延伸至所述浅沟槽隔离区内，所述第一电容器板和第二电容器板分别具有第一侧壁结构和第二侧壁结构，所述第一侧壁结构和第二侧壁结构彼此基本平行并且通过所述浅沟槽隔离区的介电材料彼此分隔开。

本发明的另一实施例提供了一种集成电路，包括：半导体衬底，具有前侧和后侧；第一源极/漏极区和第二源极/漏极区，延伸至所述半导体衬底的前侧内，所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区通过位于所述半导体衬底内的沟道区彼此分隔开；栅电极，延伸至所述半导体衬底的前侧内，并设置在所述沟道区上方；栅极介电层，延伸至所述半导体衬底的前侧内以将所述栅电极的底面和外侧壁与所述沟道区分隔开；浅沟槽隔离区，延伸至所述半导体衬底的前侧内，并与所述第一源极/漏极或所述第二源极/漏极区的外边缘并排布置，所述浅沟槽隔离区填充有介电材料；以及复合电容器，包括第一电容器端子和第二电容器端子，在所述第一电容器端子和第二电容器端子之间限定所述复合电容器的总电容，所述复合电容器包括多个基本垂直的电容器板，所述电容器板延伸至所述浅沟槽隔离区内并且通过所述浅沟槽隔离区的介电材料彼此分隔开，其中，多个基本垂直的电容器板中的第一电容器板对应于复合电容器的第一电容器端子，并且布置在多个基本垂直的第二电容器板和第三电容器板之间，所述第二电容器板和所述第三电容器板位于第一电容器板的相对两侧并且对应于所述复合电容器的所述第二电容器端子。

本发明的又一实施例提供了一种形成集成电路的方法，包括：接收半导体衬底，所述半导体衬底包括逻辑区和电容器区；实施第一蚀刻以在所述电容器区中形成浅沟槽隔离凹槽；在所述浅沟槽隔离凹槽中形成介电材料以形成浅沟槽隔离区；实施第二蚀刻，以在所述逻辑区中形成栅电极凹槽，并在所述浅沟槽隔离区中形成多个电容器板凹槽；在所述栅电极凹槽和所述多个电容器板凹槽中形成高k介电材料；以及在所述栅电极凹槽和所述多个电容器板凹槽中同时形成导电层，以在逻辑区中建立栅电极，并在所述电容器区中建立多个电容器板。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1示出了根据一些实施例的包括复合电容器的集成电路的截面立体图。

图2至图3示出了根据一些实施例的集成电路的截面立体图，示出了如何将复合电容器连接至逻辑器件的一些实例。

图4至图11示出了根据一些实施例的可以如何调节复合电容器的深度、间隔和/或长度以设置复合电容器的电容的一些实例。

图12示出了根据一些实施例的包括复合电容器的集成电路的截面图。

图13至图14示出了集成电路的一些实施例的顶视图，该集成电路包括被浅沟槽隔离区横向围绕的器件区，其中，复合电容器设置在浅沟槽隔离区中。