[发明专利]阵列基板、显示装置在审
申请号: | 202010468409.1 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111599822A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 李宝顺;宋志伟 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板,具有一衬底基板,所述衬底基板包括显示区以及绑定区,在所述绑定区内设置至少一第一金属走线、覆盖所述第一金属走线的第一绝缘层、以及设置于所述第一绝缘层上的至少一第二金属走线;其中,所述第一金属走线包括第一部分、第二部分以及第三部分,所述第二金属走线在所述衬底基板上的正投影与所述第一金属走线的第一部分以及第三部分重合。本申请的阵列基板,绑定区内金属走线采用双层—单层—双层的层叠设置,单层金属走线位于最底层,并通过绝缘层对金属走线进行保护,这样在发生电化学腐蚀时,绝缘层以及上层金属起到保护底层金属走线的作用,这样可避免绑定区内金属走线被腐蚀,提高产品使用寿命。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板以及显示装置。
背景技术
当前的OLED(有机发光二极管)显示模组工艺流程复杂,随着人们对其功能需求多样性增加以及对其体积尺寸的减小要求,显示模组的激光切割、绑定和贴合等工艺要求越来越高,各个工艺的精度需求越来越高。
目前,OLED显示模组上采用COF(Chip On Film,or,Chip On Flex,覆晶薄膜)技术,以实现超窄边框。覆晶薄膜技术是通过热压合将驱动芯片上的焊盘与阵列基板上的金属走线进行绑定(bonding)的技术。阵列基板上的焊接区域,一般采用单层金属—双层金属方式设计,但在实际生产制造过程中,绑定区会经常受到电化学腐蚀,腐蚀通常发生在单层金属,位置主要为单层金属的边缘区深孔,这会导致产品良率降低。研究发现,引起绑定区电化学腐蚀的原因为无尘室内的水汽接触到端子区以及无尘室工作人员触碰端子,而目前无尘室内采用自动化流片,可以避免人员接触端子,但是无尘室内水汽无法避免,绑定区设计采用单层金属—双层金属方式已无法满足生产实际需求。
因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板,在所述绑定区内采用双层金属—单层金属—双层金属的设计,并搭配绝缘层,能够有效地解决现有技术中绑定区受到电化学腐蚀,导致产品良率降低的问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,具有一衬底基板,所述衬底基板包括显示区以及绑定区,在所述绑定区内设置至少一第一金属走线、覆盖所述第一金属走线的第一绝缘层、以及设置于所述第一绝缘层上的至少一第二金属走线;其中,所述第一金属走线包括第一部分、第二部分以及第三部分,所述第二金属走线在所述衬底基板上的正投影与所述第一金属走线的第一部分以及第三部分重合。
在一些实施例中,当一覆晶薄膜与所述金属引线连接时,所述第一金属走线的第二部分被所述覆晶薄膜完全覆盖。
在一些实施例中,所述第二金属走线远离所述第一金属走线的表面与所述第一绝缘层远离所述第一金属走线的表面平齐。
在一些实施例中,所述第一绝缘层设有多个第一过孔,所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层,以暴露所述第一金属走线的第二部分。
在一些实施例中,所述第二金属走线上设有多个开孔,所述开孔为盲孔或贯穿孔;并且,所述开孔为贯穿孔时,所述开孔贯穿所述第二金属走线。
在一些实施例中,所述第一绝缘层设有多个第一过孔,所述第一过孔贯穿所述第一绝缘层以暴露所述第一金属走线的第一部分、第二部分以及第三部分;并且,所述第二金属走线的所述开孔与所述第一过孔相对应,以暴露所述第一金属走线的所述第一部分及第三部分。
在一些实施例中,在所述绑定区内还设置一第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖所述第二金属走线以及所述第一绝缘层,并且所述第二绝缘层设有多个第二过孔,所述第二过孔与所述第一绝缘层的第一过孔相对应,以至少暴露所述第一金属走线的所述第二部分。
在一些实施例中,所述第一金属走线的材料为铜、铝、锌、铁、锡中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的