[发明专利]低TG的高频MPI组合物及其双面高频覆铜板

权利要求书

1.一种低TG的高频MPI组合物，其特征在于，是由以下重量份的组分制成：

所述长链二酸酐为改性聚酰亚胺，型号为AD6，分子式为(C₆₀H₆₉O₆N₂)n，分子量为33000-46000，

所述低TG的高频MPI组合物的固体含量为30wt％，粘度为20000-50000CPS。

2.根据权利要求1所述的一种低TG的高频MPI组合物，其特征在于，所述芳香族四羧酸二酐为对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐、双酚A型二醚二酐的一种或两种组合。

3.根据权利要求1所述的一种低TG的高频MPI组合物，其特征在于，所述芳香族二胺为1,4-亚苯基双(4-氨基苯甲酸酯)、对苯二甲酸二对氨基苯酯、对氨基苯甲酸对氨基苯酯、4,4'-二氨基二苯醚中的一种或两种以上组合。

4.根据权利要求1所述的一种低TG的高频MPI组合物，其特征在于，所述溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、丁内酯中的一种。

5.一种由权利要求1-4任意一项所述的低TG的高频MPI组合物制备的双面高频覆铜板，其特征在于，包括两侧铜箔及设置在两侧铜箔中间的高频MPI层，所述高频MPI层是由所述低TG的高频MPI组合物涂布在一侧铜箔表面经过加热高温环化形成的；所述高频MPI层的厚度为12-25μm，铜箔的厚度为12-18μm。

6.根据权利要求5所述的低TG的高频MPI组合物制备的双面高频覆铜板的制备方法，包括以下步骤：

取两份相同的铜箔，将上述低TG的高频MPI组合物经由涂布工艺涂布于一份铜箔的一侧，经烘烤、熟化形成高频MPI层；将另一份铜箔覆盖在所述高频MPI层上，于200-300℃热压合，获得所述双面高频覆铜板；

所述烘烤的条件为：140℃，保温15min；

所述熟化的条件为：室温下，经15min升温至150℃，保温5min，经10min升温至200℃，保温5min，经10min升温至250℃，保温5min，经10min升温至300℃，保温30min，经10min升温至350℃，保温30min，然后经60min降至室温。

7.根据权利要求6所述的低TG的高频MPI组合物制备的双面高频覆铜板的制备方法，其特征在于，所述铜箔为日本三井金属矿业株式会社的型号为TQ-M4-VSP的电解铜、日本福田金属箔粉工业株式会社的型号为CF-T49A-DS-HD2的电解铜、日本日矿金属株式会社的型号为JXEFL-BHM的电解铜、金居开发铜箔股份有限公司的型号为FL451的电解铜、日本日矿金属株式会社的型号为BHFX-92F-HA-V2的压延铜、日本日矿金属株式会社的型号为GHY5-93F-HA-V2的压延铜、台鑫科技股份有限公司的型号为GS01的压延铜中的一种。