[发明专利]低TG的高频MPI组合物及其双面高频覆铜板

说明书

本发明涉及高分子材料技术领域，尤其涉及一种低TG的高频MPI组合物及其双面高频覆铜板。本发明的低TG的高频MPI组合物，是由以下重量份的组分制成：芳香族四羧酸二酐22‑26份，长链二酸酐48‑50份，芳香族二胺10‑18份，溶剂190‑215份；将该低TG的高频MPI组合物经由涂布工艺涂布于一铜箔上，经烘烤、熟化形成高频MPI层，再与另一铜箔压合得双面高频覆铜板。本发明通过引入长链二酸酐有效地降低了玻璃化转变温度，提高了双面高频覆铜板的加工性和接着性，降低了生产成本，同时导入C＝OO结构效降低了DK与DF值，维持了电性，使制成的双面高频覆铜板具有高传输的特性。

技术领域

本发明属于高分子材料技术领域，具体的说，涉及一种低TG的高频MPI组合物及其双面高频覆铜板。

背景技术

随着连网应用成为市场主流，各项终端电子产品具有网络传输功能已相当普遍，无论是有线或是无线的数据传输速度都不断往上提升，未来10GHz以上的传输频率将成为趋势，因此高速/高频材料的开发成为电路板材料研发的显学。而一般使用的聚酰亚胺(PI)材料因过于柔软而无法定型，因此改用液晶高分子(Liquid Crystal Polymer，简称LCP)材料，利用LCP材料加热后的可塑性，加工制造出所需要的3D立体软板，例如机器人手指的弯曲关节。因此，结合3D立体及高频应用的LCP材质高频软板便应运而生。以日本第一大厂Mektron开发的LCP材质高频软板为例：其介电常数(Dielectric Constant，DK)为3.0，相较一般PI材料DK值约3.3为低；其损耗因子(Damping Factor，DF)为0.003也较一般PI材料的DF值0.018为低；其吸水率小于0.04，也较一般PI材料的吸水率1.5为低；但剥离强度LCP为0.67kgf/cm，较一般PI材料的剥离强度1.04kgf/cm为差，其主要应用市场将着重在Type CUSB接头、4K高画质影像传输接头、SATA传输线、HDMI、天线等领域。高速/高频材料最重要的材料特性需求就是LOW DK/DF和剥离强度。

在习知技术中，高频覆铜板是采用市售的高频改性聚酰亚胺(MPI)膜或LCP膜经高温压合法制成(如图1所示)，但该技术与成本都掌握在供货商手上，因此，本发明人通过前期研究开发了涂布压合法，利用分子结构设计找到了LOW DK/DF和高接着力的材料，同样可以应用于高速高频材料领域，该成果公开在授权公告号为CN 109337072 B发明名称为一种低DK与DF的高分子组合物、覆铜板及电路板的专利中。但是，虽然该发明通过在结构中导入酯类结构(C＝CO)与引入大基团使其结构不易旋转，再堆栈后结构紧密导致DK与DF下降，但伴随着玻璃化转移温度(TG)的变高与接着力的下降，大大增加了加工难度和生产成本，这是因为加工时所需要的加热温度必须要超过TG材料才开始软化，因而TG越高，能耗越大，所需设备温度要求也越高。

因此，有必要通过研究找到一种低TG的高频MPI组合物，以便在维持电性的同时解决TG变高和接着力下降的问题，从而改善其在制备双面高频覆铜板中的难度，并降低生产成本。

发明内容

本发明的第一个目的在于提供一种低TG(玻璃化转移温度)的高频MPI(改性聚酰亚胺)组合物。

本发明的第二个目的在于提供一种所述低TG的高频MPI组合物制备的双面高频覆铜板。

为了实现上述目的，本发明才用的技术方案如下：

本发明的第一个方面提供了一种低TG的高频MPI组合物，是由以下重量份的组分制成：

所述低TG的高频MPI组合物的固体含量为30wt％，粘度为20000-50000CPS。

进一步地，所述芳香族四羧酸二酐为对-亚苯基-双苯偏三酸酯二酐(TAHQ)、双酚A型二醚二酐(BPADA)的一种或两种组合，具体结构如下：