[发明专利]瓷绝缘子内绝缘检测方法以及瓷绝缘子检测电路在审
申请号: | 202010468963.X | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111707910A | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 赵晨龙;王黎明;杨代铭;李晓刚;刘祝鸿;谢敏;文路 | 申请(专利权)人: | 广州广华智电科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/12 | 分类号: | G01R31/12;G01R31/18;G01R27/02 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 曾令军 |
地址: | 510000 广东省广州市黄埔区香雪*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘子 绝缘 检测 方法 以及 电路 | ||
1.一种瓷绝缘子内绝缘检测方法,其特征在于,所述瓷绝缘子内绝缘检测方法包括:
S101:通过冲击电压发生器分别对正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子发送冲击电压,并利用测量回路获取所述正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子的电压变化波形数据;
S102:根据所述电压变化波形数据获取所述正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及所述待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数;
S103:根据所述第一衰减时间常数和第二衰减时间常数获取所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻;
S104:根据所述第一电压幅值与所述第二电压幅值的大小或所述正常瓷绝缘子的绝缘电阻与所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻的大小判断所述待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子。
2.如权利要求1所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法,其特征在于,所述测量回路包括高压探头和波形采样电路,所述波形采样电路通过所述高压探头与所述正常瓷绝缘子、待测瓷绝缘子的两端连接。
3.如权利要求1所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法,其特征在于,所述根据所述电压变化波形数据获取所述正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及所述待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数的步骤之前还包括:
通过低通滤波的方式去除所述电压变化波形数据中的毛刺。
4.如权利要求1所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法,其特征在于,所述根据所述电压变化波形数据获取所述正常瓷绝缘子对应的第一电压幅值和第一衰减时间常数以及所述待测瓷绝缘子对应的第二电压幅值和第二衰减时间常数的步骤具体包括:
根据正常瓷绝缘子的所述电压变化波形数据获取电压序列以及与所述电压序列对应的时间序列,通过所述电压序列、时间序列获取所述第一电压幅值和第一衰减时间常数;
根据待测瓷绝缘子的所述电压变化波形数据获取待测瓷绝缘子的电压序列以及与所述电压序列对应的时间序列,通过所述电压序列、时间序列获取所述第二电压幅值和第二衰减时间常数。
5.如权利要求4所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法,其特征在于,所述通过所述电压序列、时间序列获取所述第一电压幅值和第一衰减时间常数的步骤具体包括:
根据所述电压序列的最大值获取第一电压幅值;
获取所述电压序列和时间序列中电压衰减段的数据,通过所述电压衰减段的数据获取第一衰减时间常数。
6.如权利要求4所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法,其特征在于,所述测量回路的输入阻抗大于1GΩ,所述测量回路的采样间隔不大于1ms。
7.如权利要求6所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法,其特征在于,所述时间序列的时间间隔与所述测量回路的采样间隔相等。
8.如权利要求1所述瓷绝缘子内绝缘检测方法,其特征在于,所述根据所述第一衰减时间常数和第二衰减时间常数获取所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻的步骤具体包括:
判断所述第二衰减时间常数是否小于第一衰减时间常数的二分之一;
若是,则通过公式获取所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻,其中,RX为待测瓷绝缘子的绝缘电阻,T′为第二衰减时间常数,T为第一衰减时间常数,R0为测量回路的输入阻抗;
若否,则确定RX1GΩ。
9.如权利要求1所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法,其特征在于,所述根据所述第一电压幅值与所述第二电压幅值的大小或所述正常瓷绝缘子的绝缘电阻与所述待测瓷绝缘子的绝缘电阻的大小判断所述待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子的步骤具体包括:
判断第二电压幅值是否小于第一电压幅值与预设阈值的乘积或待测瓷绝缘子的绝缘电阻是否小于正常瓷绝缘子的绝缘电阻;
若是,则确定所述待测瓷绝缘子为劣化瓷绝缘子;
若否,则确定所述待测瓷绝缘子为合格瓷绝缘子。
10.一种瓷绝缘子检测电路,其特征在于,所述瓷绝缘子检测电路包括冲击电压发生器、测量回路;
所述冲击电压发生器的正负极分别与所述正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子的两端连接;
所述测量回路与所述正常瓷绝缘子或待测瓷绝缘子的两端连接;
所述瓷绝缘子检测电路通过权利要求1-9任一项所述的瓷绝缘子内绝缘检测方法检测所述待测瓷绝缘子是否为劣化瓷绝缘子。
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