[发明专利]基板载具、基板载具阵列和气相沉积装置

说明书

本发明实施例提供了一种基板载具、基板载具阵列和气相沉积装置，其中所述基板载具包括：第一载板；第二载板，所述第二载板与所述第一载板的外轮廓相同，所述第二载板为中空框架状，所述第二载板在垂直于所述第一载板的方向上与所述第一载板平行重叠设置；支撑部，设置在所述第一载板与所述第二载板之间，以使所述第一载板与所述第二载板相互间隔，所述支撑部与所述第一载板和所述第二载板之间形成有适于取放基板的开口。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体涉及一种基板载具、基板载具阵列和气相沉积装置。

背景技术

在制造半导体器件时，需要采用各种气相沉积工序在待成膜基板上形成薄膜，现有技术中气相沉积设备存在立式插片的基板载具如图1A所示，其通过基板载板11与卡点12来将基板13固定在基板载具上，由于重力作用，基板13远离卡点12的上端位置无法紧密贴合基板载板11，从而在基板13与基板载板11之间会出现显著的空隙，这样会导致在基板进行气相沉积工艺时，薄膜不仅会形成在基板的待成膜面，还会形成在基板的侧面甚至是与待成膜面相对的面，从而形成所谓的绕镀，这样会严重影响半导体器件的性能。

为避免该问题，现有技术中提出了一种水平插片基板载具，如图1B所示，在进行气相沉积工序时，将基板15沿竖直方向放置在基板载具14上，利用基板15自身重力使得基板15与基板载具14紧密贴合，以防止绕镀。然而，为了使基板15能够顺利放置到基板载具14上，基板15与基板载具14的内侧边之间需要存在一定间隙17，在进行气相沉积工序时，薄膜不仅会沉积在基板15上，也会沉积在间隙17内。经过多次气相沉积工序后，会在基板载具14的间隙处形成薄膜16，并且随着气相沉积工序的不断进行，基板载具14在使用一段时间之后，所形成的薄膜16的厚度不断增加，如果不及时清理，之后再放置基板15时，很可能会使得基板15放置不平整，如图1C所示，同样会不可避免的出现绕镀现象。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种基板载具、基板载具阵列和气相沉积装置，以解决问题。

根据第一方面，本发明实施例提供了一种基板载具，包括：第一载板；第二载板，所述第二载板与所述第一载板的外轮廓相同，所述第二载板为中空框架状，所述第二载板在垂直于所述第一载板的方向上与所述第一载板平行重叠设置；支撑部，设置在所述第一载板与所述第二载板之间，以使所述第一载板与所述第二载板相互间隔，所述支撑部与所述第一载板和所述第二载板之间形成有适于取放基板的开口。

可选地，所述第一载板和所述第二载板的外轮廓呈矩形。

可选地，所述支撑部为围绕所述第一载板和所述第二载板的矩形外轮廓的至少一个侧边的侧壁，以在所述第一载板和所述第二载板剩余侧边形成所述开口。

可选地，所述第一载板、所述第二载板和所述支撑部呈一体状。

可选地，所述第一载板为中空框架状。

可选地，所述基板载具还包括：第三载板，所述第三载板与所述第一载板和所述第二载板的外轮廓相同，所述第三载板设置在所述第一载板和所述第二载板之间，且与所述第一载板和所述第二载板平行重叠设置，所述第三载板与所述第一载板和所述第二载板相互间隔，以将所述开口分隔为适于取放基板的两个开口。

可选地，所述第一载板、所述第二载板、所述第三载板和所述支撑部呈一体状。

可选地，所述第三载板为中空框架状。

根据第二方面，本发明实施例提供了一种基板载具阵列，包括：多个上述第一方面中任一项所述的基板载具；其中，多个所述基板载具具有相同外轮廓，多个所述基板载具在同一平面上以2*n的阵列排列，所述开口设置在所述基板载具阵列的列方向上的两侧，其中n为大于或等于1的整数。

根据第三方面，本发明实施例提供了一种气相沉积装置，包括上述第二方面所述的基板载具阵列。