[发明专利]一种CTLM比接触电阻测量装置及比接触电阻测量设备在审
| 申请号： | 202010469848.4 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN113740608A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 尹振;尚海平;王英辉 | 申请（专利权）人： | 昆山微电子技术研究院 |
| 主分类号： | G01R27/08 | 分类号： | G01R27/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王雨 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ctlm 接触 电阻 测量 装置 设备 | ||
1.一种CTLM比接触电阻测量装置，其特征在于，包括电压测试电路、电流测试电路及均压电路；
所述均压电路包括外电极公共端及多条外电极引线，所述外电极引线的输入端连接于所述外电极公共端，输出端连接于CTLM待测结构的外电极外边缘；
多条所述外电极引线的输出端在所述外电极边缘均匀分布；
所述电压测试电路包括两个电压探针，两个所述电压探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及外电极；
所述电流测试电路包括两个电流探针，两个所述电流探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及所述外电极公共端。
2.如权利要求1所述的CTLM比接触电阻测量装置，其特征在于，还包括内电极覆盖层及外电极覆盖层；
所述内电极覆盖层与所述外电极覆盖层为导电层，且所述内电极覆盖层与所述外电极覆盖层非接触设置；
所述内电极覆盖层设置于所述内电极表面，与所述内电极电连接；
所述外电极覆盖层设置于所述外电极表面，与所述外电极电连接。
3.如权利要求2所述的CTLM比接触电阻测量装置，其特征在于，所述内电极覆盖层及所述外电极覆盖层为铂金属层或铜金属层。
4.如权利要求1所述的CTLM比接触电阻测量装置，其特征在于，所述外电极及所述内电极之间还包括绝缘填充层。
5.如权利要求4所述的CTLM比接触电阻测量装置，其特征在于，所述绝缘填充层为二氧化硅层。
6.如权利要求1所述的CTLM比接触电阻测量装置，其特征在于，还包括绝缘隔离层；
所述绝缘隔离层设置于所述CTLM待测结构的半导体层的表面，所述外电极的外侧；
所述均压电路为设置于所述绝缘隔离层表面的金属外延层。
7.如权利要求6所述的CTLM比接触电阻测量装置，其特征在于，所述绝缘隔离层及所述均压电路为通过光刻法及金属剥离工艺得到的结构层。
8.如权利要求6所述的CTLM比接触电阻测量装置，其特征在于，所述绝缘隔离层为二氧化硅层。
9.如权利要求1至8任一项所述的CTLM比接触电阻测量装置，其特征在于，当所述外电极为方形外电极时，所述均压电路包括四条所述外电极引线；
四条所述外电极引线的输出端分别连接于所述方形外电极的四个顶角上。
10.一种比接触电阻测量设备，其特征在于，所述比接触电阻测量设备包括如权利要求1至9任一项所述的CTLM比接触电阻测量装置。
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