[发明专利]一种CTLM比接触电阻测量装置及比接触电阻测量设备

说明书

本发明公开了一种本发明所提供的CTLM比接触电阻测量装置，包括电压测试电路、电流测试电路及均压电路；所述均压电路包括外电极公共端及多条外电极引线，所述外电极引线的输入端连接于所述外电极公共端，输出端连接于CTLM待测结构的外电极外边缘；多条所述外电极引线的输出端在所述外电极边缘均匀分布；所述电压测试电路包括两个电压探针，两个所述电压探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及外电极；所述电流测试电路包括两个电流探针，两个所述电流探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及所述外电极公共端。本发明提高电势分布均匀性。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的比接触电阻测量设备。

技术领域

本发明涉及比接触电阻测量领域，特别是涉及一种CTLM比接触电阻测量装置及比接触电阻测量设备。

背景技术

金属与半导体的接触存在于绝大多数的半导体器件中，包括集成电路中源、漏极与外部电路的连接，MEMS压力传感器中压阻结构与外部电路的连接位置等。为了连接器件与外部电路，必须要有高品质的欧姆接触。高质量的欧姆接触的研究，无论是集成电路还是MEMS器件都是极其重要的工作。高质量的欧姆接触需要有低的比接触电阻和好的稳定性。尤其在高温，大功率器件中，欧姆接触的低比接触电阻和好的高温稳定性是保证器件正常工作的关键。

比接触电阻是衡量欧姆接触质量的关键的参数之一，比接触电阻参数的精确提取对于器件的模拟仿真和设计起到重要的作用。因此，比接触电阻的测量尤为重要。

传统CTLM(圆形电极传输线模型法或者圆形传输线模型法)测试模型的前提条件是金属电极等势。然而，由于传统测试结构的制作过程中，金属电极由金属硅化物和剩余金属层组成，由于金属电极电阻率偏高，金属电极不再是等势面。采用四探针测试CTLM结构时，两个电流探针和两个电压探针分别扎在内外电极上。由于，金属电极不是等势面，导致电压探针的电势随着测试位置而变化。例如，当电流从外电极流入测试结构，在外电极上，靠近电流探针的位置电势高，远离电流探针的位置电势低，如图1所示(图1中所示的两个电压探针，为同一个探针，即外电极电压探针，在不同位置时的状态)。从而导致量电压随外电极电压探针的位置变化而变化，造成较大的测量误差，甚至参数测量错误。

因此，如何避免因电压探针位置不同导致的测量误差，是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种CTLM比接触电阻测量装置及比接触电阻测量设备，以尽量排除现有技术中由于电压探针位置不同导致的测量误差造成的影响。

为解决上述技术问题，本发明提供一种CTLM比接触电阻测量装置，包括电压测试电路、电流测试电路及均压电路；

所述均压电路包括外电极公共端及多条外电极引线，所述外电极引线的输入端连接于所述外电极公共端，输出端连接于CTLM待测结构的外电极外边缘；

多条所述外电极引线的输出端在所述外电极边缘均匀分布；

所述电压测试电路包括两个电压探针，两个所述电压探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及外电极；

所述电流测试电路包括两个电流探针，两个所述电流探针分别用于连接所述CTLM待测结构的内电极及所述外电极公共端。

可选地，在所述的CTLM比接触电阻测量装置，还包括内电极覆盖层及外电极覆盖层；

所述内电极覆盖层与所述外电极覆盖层为导电层，且所述内电极覆盖层与所述外电极覆盖层非接触设置；

所述内电极覆盖层设置于所述内电极表面，与所述内电极电连接；

所述外电极覆盖层设置于所述外电极表面，与所述外电极电连接。

可选地，在所述的CTLM比接触电阻测量装置，所述内电极覆盖层及所述外电极覆盖层为铂金属层或铜金属层。