[发明专利]一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法在审
申请号: | 202010470112.9 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111653745A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 唐唯佳;杨乐之;涂飞跃;封青阁;汤刚;彭青姣;罗磊;覃事彪 | 申请(专利权)人: | 长沙矿冶研究院有限责任公司 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525;C01B32/20 |
代理公司: | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人: | 毛志杰 |
地址: | 410000 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 负极 前驱 材料 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤:将纳米硅粉、石墨和聚合物混合均匀,得到纳米硅石墨复合材料;对纳米硅石墨复合材料进行加压处理,得到紧实的纳米硅石墨复合块料;将纳米硅石墨复合块料在惰性气氛下进行碳化处理,得到硅碳负极前驱体材料。该制备方法保证了硅/石墨/无定型碳的粘接强度以及分散均匀性,大大缓解了硅在充放电过程中的体积膨胀效应,所制得的硅碳负极前驱体材料具有压实密度高、硅碳均匀分布的特点,所制得的硅碳负极材料的比容量、首次充放电效率以及循环性能得到大幅度提升。
技术领域
本发明属于锂离子电池技术领域,尤其涉及一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法。
背景技术
锂离子电池由于具有能量密度高、工作电压高、放电电压稳定、循环寿命长以及环保等优点,被广泛应用于便携式电子设备,对车辆的电动化产生了巨大的影响。电动汽车的快速发展也对锂离子电池的能量密度、循环性能、安全性能、使用寿命等提出了更高的要求。负极材料是电池中的重要组成部分,其与正极材料一起决定着锂离子电池的循环寿命、容量和安全性等关键性能,成为各国研究的重点。
硅作为最有希望的新一代负极材料,近年来引起了极大的关注,其理论容量可达到4200mAh/g(Li22Si5),约为碳质材料的十倍,且储量丰富,具有较低的嵌锂电位(Si平均脱锂电位0.4V vs.Li/Li+)。然而,硅存在电子导电率低的问题,且硅在与锂合金化和去合金化的过程中,存在巨大的体积变化(300%),导致硅颗粒容易破裂,结构坍塌,使活性物质从集流体上脱落,从而严重影响到电池的循环性能;同时也难以形成稳定的SEI层。将纳米硅与碳质材料复合能够提高硅碳负极材料的电导率,并且碳质材料也可以作为缓冲基质,为硅的体积变化提供一定的缓冲作用。但由于纳米硅比表面积较大,易发生团聚,所得硅碳复合材料中硅往往分布不均,使其对负极材料电化学性能的改善有限。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是,克服以上背景技术中提到的不足和缺陷,提供一种硅碳负极前驱体材料、硅碳负极材料及其制备方法。
为解决上述技术问题,本发明提出的技术方案为:
一种硅碳负极材料的制备方法,包括以下步骤:
(1)将纳米硅粉、石墨和聚合物混合均匀,得到纳米硅石墨复合材料;
(2)对步骤(1)后的纳米硅石墨复合材料进行加压处理,得到紧实的纳米硅石墨复合块料;
(3)将步骤(2)后的纳米硅石墨复合块料在惰性气氛下进行碳化处理,得到所述硅碳负极前驱体材料。
上述的制备方法,优选的,所述加压处理的压力为10-500Mpa,时间为5-240min。加压处理挤散团聚颗粒,有利于提高复合材料的压实密度,从而提升电池容量,降低极片反弹。为了保证复合材料的分散均匀性以及压实密度,需将加压处理的参数控制在本发明的范围内。
上述的制备方法,优选的,所述步骤(2)中,先将温度升至30-300℃并保温0.5-1.5h,再进行加压处理,加压处理的温度为30-300℃,压力为10-500Mpa,时间为5-240min。加压的同时进行加热,可以使聚合物呈流动态并在压力作用下挤入硅和石墨之间的间隙,使纳米硅在碳材料中进一步分散均匀,同时提高复合材料的压实密度。
上述的制备方法,优选的,所述纳米硅粉的粒径为30-500nm,所述石墨的比表面积为5-50m2/g,粒径D50为3-30μm,所述纳米硅粉和石墨的质量比为1:0.5-10。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙矿冶研究院有限责任公司,未经长沙矿冶研究院有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010470112.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。