[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 202010470538.4 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111564457B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 付恒野;蔡惠洁 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基底;
金属线层,设置于所述基底上;
平坦层,设置于所述金属线层及所述基底上;
通孔,贯穿所述平坦层,且与所述金属线层相对设置;
第一导电层,设置于所述平坦层上,且延伸至所述通孔内,贴附至所述通孔的侧壁,且连接至所述金属线层上;
钝化层,设置于所述第一导电层上,且延伸至所述通孔内;
过孔,贯穿所述钝化层,且与所述通孔的侧壁和所述金属线层相对设置;以及
第二导电层,设置于所述过孔内,连接至所述第一导电层中与所述金属线层相对的一部分,且连接至所述第一导电层中与所述通孔的侧壁相对的另一部分。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述过孔的数量为两个以上;
一个过孔与所述金属线层相对设置;
另一个过孔与所述通孔的侧壁相对设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电层穿过一个过孔连接至所述第一导电层,且穿过另一个过孔连接至所述第一导电层。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述过孔与所述通孔的侧壁及所述金属线层相对设置。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第二导电层设置于所述过孔内,贴附至所述第一导电层,从所述过孔一侧的孔壁延伸至另一侧的孔壁。
6.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一基底;
在所述基底上制备金属线层;
在所述金属线层及所述基底上制备平坦层;
贯穿所述平坦层形成通孔,且所述通孔与所述金属线层相对设置;
在所述平坦层上制备第一导电层,且所述第一导电层延伸至所述通孔内,贴附至所述通孔的侧壁,且连接至所述金属线层上;
在所述第一导电层上制备钝化层,且所述第一导电层延伸至所述通孔内;
贯穿所述钝化层形成过孔,且所述过孔与所述通孔的侧壁和所述金属线层相对设置;以及
在所述过孔内制备第二导电层,所述第二导电层连接至所述第一导电层中与所述金属线层相对的一部分,且连接至所述第一导电层中与所述通孔的侧壁相对的另一部分。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在贯穿所述钝化层形成过孔,且所述过孔与所述通孔的侧壁和所述金属线层相对设置的步骤中包括:贯穿所述钝化层形成两个以上过孔;
一个过孔与所述金属线层相对设置;
另一个过孔与所述通孔的侧壁相对设置。
8.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在贯穿所述钝化层形成过孔,且所述过孔与所述通孔的侧壁和所述金属线层相对设置的步骤中,所述过孔与所述通孔的侧壁及所述金属线层相对设置。
9.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述通孔及过孔均通过蚀刻方式形成。
10.一种显示面板,包括权利要求1-5中任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的