[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 202010470538.4 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN111564457B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 付恒野;蔡惠洁 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本发明涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板,阵列基板中的第二导电层连接至所述第一导电层中与所述金属线层相对的一部分,且连接至所述第一导电层中与所述通孔的侧壁相对的另一部分。利用第二导电层将第一导电层中与所述金属线层相对的一部分的信号传递至所述第一导电层中与所述通孔的侧壁相对的另一部分上。当第一导电层在金属线层表面与通孔侧壁的夹角处产生裂缝时,金属线层的信号仍然能通过第一导电层进行传递,避免增大搭接阻抗,避免产生触控异常现象。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
显示装置可以把计算机的数据变换成各种文字、数字、符号或直观的图像显示出来,并且可以利用键盘等输入工具把命令或数据输入计算机,借助系统的硬件和软件随时增添、删改、变换显示内容。显示装置根据所用之显示器件分为等离子、液晶、发光二极管和阴极射线管等类型。
TFT(Thin Film Transistor)是薄膜晶体管的缩写。TFT式显示屏是各类笔记本电脑和台式机上的主流显示设备,该类显示屏上的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动,因此TFT式显示屏也是一类有源矩阵液晶显示设备。TFT式显示屏是最好的LCD彩色显示器之一,TFT式显示器具有高响应度、高亮度、高对比度等优点,其显示效果接近CRT式显示器。
高分辨率产品的TFT基板在IC附近的拉线区(fanout)走线密集,其中包含实现TP触控的信号线。为了将金属线层的信号通过第一导电层传递至公共电极处,我们需要在平坦层上设置通孔。
如图1所示,在常规的通孔7设计中,第一导电层4通过通孔7搭接到金属线层2上,由于第一导电层4的材质采用ITO,且ITO为硬质膜,金属线层2表面与通孔7侧壁的夹角近似为直角,第一导电层4容易在该夹角处产生裂缝9,进而使搭接阻抗增大,导致金属线层2的信号无法通过第一导电层4传递至公共电极处,进而产生触控异常现象。现有技术中的第一导电层4在金属线层2表面与通孔侧壁的夹角处产生裂缝9的现象难以检测,甚至于到整机状态下才会被发现,损失重大。因此需要寻求一种新型的阵列基板以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,其能够解决现有的阵列基板中存在的第一导电层容易在金属线层表面与通孔侧壁的夹角处产生裂缝,进而使搭接阻抗增大,导致金属线层的信号无法通过第一导电层传递至公共电极处,进而产生触控异常现象等问题。
为了解决上述问题,本发明提供了一种阵列基板,其包括:基底;金属线层,设置于所述基底上;平坦层,设置于所述金属线层及所述基底上;通孔,贯穿所述平坦层,且与所述金属线层相对设置;第一导电层,设置于所述平坦层上,且延伸至所述通孔内,贴附至所述通孔的侧壁,且连接至所述金属线层上;钝化层,设置于所述第一导电层上,且延伸至所述通孔内;过孔,贯穿所述钝化层,且与所述通孔的侧壁和/或所述金属线层相对设置;以及第二导电层,设置于所述过孔内,连接至所述第一导电层中与所述金属线层相对的一部分,且连接至所述第一导电层中与所述通孔的侧壁相对的另一部分。
进一步的,其中所述过孔的数量为两个以上;一个过孔与所述金属线层相对设置;另一个过孔与所述通孔的侧壁相对设置。
进一步的,其中所述第二导电层穿过一个过孔连接至所述第一导电层,且穿过另一个过孔连接至所述第一导电层。
进一步的,其中所述过孔与所述通孔的侧壁及所述金属线层相对设置。
进一步的,其中所述第二导电层设置于所述过孔内,贴附至所述第一导电层,从所述过孔一侧的孔壁延伸至另一侧的孔壁。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的