[发明专利]测试结构及测试方法在审

专利信息
申请号: 202010470615.6 申请日: 2020-05-28
公开(公告)号: CN113745124A 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 王伟;王成博;苏波 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L23/544
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 测试 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种测试结构,其特征在于,包括:

基底;

位于所述基底上的待测第一导电层,所述待测第一导电层内具有若干第一隔断;

位于所述基底上相互平行排列的多个待测第二导电层,每个所述待测第二导电层内均具有若干第二隔断,且至少一个待测第二导电层与待测第一导电层电连接;

位于所述基底上相互平行排列的若干第一导电层,每个所述第一导电层与待测第二导电层电连接;

与所述待测第一导电层电连接的第一测试端;

与一个所述第一导电层电连接的第二测试端。

2.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,各所述第一导电层与待测第一导电层平行。

3.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第一隔断的数量为一个以上。

4.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述待测第一导电层在所述待测第二导电层上层,或者所述待测第一导电层在所述待测第二导电层下层;所述待测第一导电层与所述待测第二导电层通过第一插塞电连接。

5.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述待测第二导电层在所述第一导电层上层,或者所述待测第二导电层在所述第一导电层下层;各所述待测第二导电层与各第一导电层通过第二插塞电连接。

6.如权利要求5所述的测试结构,其特征在于,所述第二隔断的数量为一个以上。

7.如权利要求6所述的测试结构,其特征在于,当所述第二隔断的数量为多个时,各所述待测第二导电层内相邻第二隔断之间间隔两个第二插塞。

8.如权利要求7所述的测试结构,其特征在于,相邻待测第二导电层内的第二隔断,沿垂直于待测第二导电层延伸方向上的中线不重合。

9.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,还包括:第二导电层,所述第二导电层与距离待测第一导电层最远的第一导电层电连接,且所述第二测试端与所述第二导电层电连接。

10.如权利要求9所述的测试结构,其特征在于,所述第二导电层与所述待测第二导电层平行。

11.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,还包括:与一个所述待测第二导电层电连接的第三测试端。

12.一种测试方法,其特征在于,包括:

提供测试结构,所述测试结构包括:基底;位于所述基底上的待测第一导电层,所述待测第一导电层内具有若干第一隔断;位于所述基底上相互平行排列的多个待测第二导电层,每个所述待测第二导电层内均具有若干第二隔断,且至少一个待测第二导电层与待测第一导电层电连接;位于所述基底上相互平行排列的若干第一导电层,每个所述第一导电层与待测第二导电层电连接;与所述待测第一导电层电连接的第一测试端;与一个所述第一导电层电连接的第二测试端;

获得第一测试端和第二测试端之间的第一测量值。

13.如权利要求12所述的测试方法,其特征在于,还包括:根据所述第一测量值,获得第一隔断和第二隔断的信息。

14.如权利要求13所述的测试方法,其特征在于,根据所述第一测量值,获得第一隔断和第二隔断的信息的方法包括:提供预设第一测量值和预设第二测量值;根据所述第一测量值与预设第一测量值或预设第二测量值进行比较,获取所述第一隔断和第二隔断的信息。

15.如权利要求14所述的测试方法,其特征在于,所述预设第二测量值大于所述预设第一测量值。

16.如权利要求15所述的测试方法,其特征在于,当所述第一测量值在所述预设第一测量值的范围内时,所述第一隔离具有缺陷,且所述第二隔断具有缺陷。

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