[发明专利]蚀刻剂组合物、增粘剂、移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺

说明书

本发明提供一种蚀刻剂组合物、增粘剂、碱溶液、移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺。蚀刻剂组合物包括增粘剂(A)以及碱溶液(B)。增粘剂(A)包括含羟基的树脂(a)、表面活性剂(b)和第一溶剂(c1)。碱溶液(B)包括碱性化合物(d)和第二溶剂(c2)。

技术领域

本发明涉及一种蚀刻剂组合物、增粘剂及碱溶液，且特别是涉及一种适用于蚀刻工艺的蚀刻剂组合物、增粘剂、碱溶液、移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺。

背景技术

蚀刻技术常被应用于半导体相关产业及显示设备，主要可分为湿式蚀刻与干式蚀刻。一般而言，湿式蚀刻为等向性蚀刻，而干式蚀刻为非等向性蚀刻。等向性蚀刻所需的工艺时间较非等向性蚀刻所需的工艺时间短。然而，等向性蚀刻在图案化的过程中，会使被图案化的膜层与其相邻的膜层之间出现底切的现象，进而影响电子组件的可靠度及/或显示设备的显示质量。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种可形成具有良好的粘度、剥离能力、腐蚀性、残留性及可改善底切现象的蚀刻剂组合物、适用于其的增粘剂及碱溶液、移除聚酰亚胺的方法以及蚀刻工艺。

本发明的一种蚀刻剂组合物包括增粘剂(A)以及碱溶液(B)。增粘剂(A)包括含羟基的树脂(a)、表面活性剂(b)和第一溶剂(c1)。碱溶液(B)包括碱性化合物(d)和第二溶剂(c2)。

在本发明的一实施例中，上述的含羟基的树脂(a)中所含有的结构单元包括含羟基的酚醛树脂及含羟基的聚苯乙烯树脂中的至少一种。

在本发明的一实施例中，上述的表面活性剂(b)包括含芳基的聚醚系表面活性剂及氟系表面活性剂中的至少一种。

在本发明的一实施例中，基于增粘剂(A)的总使用量为100重量份，含羟基的树脂(a)的使用量为24重量份至52重量份。

在本发明的一实施例中，上述的第一溶剂(c1)包括选自内酰胺类化合物、内酯类化合物及苯基醇类化合物所组成的群组中的至少一种。

在本发明的一实施例中，基于增粘剂(A)的总使用量为100重量份，表面活性剂(b)的使用量为1重量份至60重量份，且第一溶剂(c1)的使用量为16重量份至48重量份。

在本发明的一实施例中，上述的碱性化合物(d)包括选自碱金属氢氧化物、碳酸盐化合物及胺类氢氧化物所组成的群组中的至少一种。

在本发明的一实施例中，上述的碱性化合物(d)包括选自氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钠、碳酸钾、碳酸钙、碳酸氢钠、四甲基氢氧化铵及乙醇胺所组成的群组中的至少一种。

在本发明的一实施例中，上述的第二溶剂(c2)包括一元醇及多元醇中的至少一种。

在本发明的一实施例中，上述的第二溶剂(c2)包括选自甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、戊二醇及甘油所组成的群组中的至少一种。

在本发明的一实施例中，基于蚀刻剂组合物的总使用量为100重量份，增粘剂(A)的使用量为30重量份至95重量份，且碱溶液(B)的使用量为5重量份至70重量份。

在本发明的一实施例中，基于碱溶液(B)的总使用量为100重量份，碱溶液(B)中的碱性化合物(d)中的碳酸盐化合物的使用量及胺类氢氧化物的使用量总和小于或等于4.29重量份。

本发明的一种增粘剂，适用于上述的蚀刻剂组合物。增粘剂包括含羟基的树脂(a)、表面活性剂(b)以及第一溶剂(c1)。

本发明的一种碱溶液，适用于上述的蚀刻剂组合物。碱溶液包括碱性化合物(d)以及第二溶剂(c2)。

本发明的一种移除聚酰亚胺的方法，包括将上述的蚀刻剂组合物施加至预定位置的聚酰亚胺上。

在本发明的一实施例中，上述的移除聚酰亚胺的方法更包括将增粘剂(A)与碱溶液(B)混合。