[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括单元区和外围区，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的控制栅材料层、位于所述控制栅材料层上的第一掩膜材料层以及位于所述第一掩膜材料层上的第二掩膜材料层；

刻蚀所述第一掩膜材料层和第二掩膜材料层，形成掩膜叠层，所述掩膜叠层包括第一掩膜层和位于所述第一掩膜层上的第二掩膜层，位于单元区中的所述掩膜叠层为第一掩膜叠层，位于外围区的所述掩膜叠层为第二掩膜叠层，所述第一掩膜叠层中所述第二掩膜层的厚度小于所述第二掩膜叠层中所述第二掩膜层的厚度，且以垂直于所述掩膜叠层侧壁的方向为横向，所述第二掩膜叠层的横向尺寸大于所述第一掩膜叠层的横向尺寸；

在所述掩膜叠层的侧壁上形成侧墙层；

形成所述侧墙层后，去除所述第一掩膜叠层，且保留第二掩膜叠层；

以所述侧墙层和所述第二掩膜叠层为掩膜刻蚀所述控制栅材料层，形成位于所述单元区的第一控制栅极和位于所述外围区的第二控制栅极。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，提供基底的步骤中，所述第二掩膜材料层的厚度为至

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二掩膜材料层，形成第二掩膜层的过程中，刻蚀气体的流量为100sccm至200sccm。

4.如权利要求1或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用含C和含F的气体刻蚀所述第二掩膜材料层，形成第二掩膜层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掩膜叠层的步骤中，所述第二掩膜叠层中的所述第二掩膜层与所述第一掩膜叠层中的所述第二掩膜层的厚度差大于

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一掩膜叠层，且保留第二掩膜叠层的步骤包括：去除所述第一掩膜叠层中的所述第二掩膜层，且保留所述第二掩膜叠层中部分厚度的第二掩膜层；

去除第一掩膜叠层的第二掩膜层后，去除所述单元区中的所述第一掩膜层。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用含C和含F的气体去除所述第一掩膜叠层中的所述第二掩膜层。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用氧气去除所述单元区中的所述第一掩膜层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述单元区中的第一掩膜层的步骤中，所述第二掩膜层的刻蚀难度大于所述第一掩膜层的刻蚀难度。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的材料包括氮化硅、DRAC材料、BARC材料、ODL材料、DUO材料和APF材料中的一种或多种。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜层的材料包括氮化硅、DRAC材料、BARC材料、ODL材料、DUO材料和APF材料中的一种或多种。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙层的形成步骤包括：在所述掩膜叠层以及所述掩膜叠层露出的所述控制栅材料层上形成侧墙材料层；

去除所述掩膜叠层顶部的所述侧墙材料层，剩余的位于所述掩膜叠层侧壁上的所述侧墙材料层作为侧墙层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺或化学气相沉积工艺形成所述侧墙材料层。

14.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀工艺去除所述掩膜叠层顶部的所述侧墙材料层。