[发明专利]一种绝缘聚酰亚胺薄膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种绝缘聚酰亚胺薄膜，其原料包括：二胺单体、二酐单体和八(氨基苯基三氧硅烷)，其中，二胺单体为9,9‑双[4‑(4‑氨基苯氧基)苯基]芴和含氟二胺，二酐单体为均苯四甲酸二酐和含氟二酐。本发明还公开了上述绝缘聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明具有良好的绝缘性能。

技术领域

本发明涉及聚酰亚胺薄膜技术领域，尤其涉及一种绝缘聚酰亚胺薄膜及其制备方法。

背景技术

聚酰亚胺具有良好的机械性能、热稳定性和电学性能，是重要的特种高分子材料，被广泛应用于微电子和光电行业。

但是随着超大规模集成电路的发展，对聚酰亚胺的绝缘性能的要求也越来越高。而传统的聚酰亚胺的介电常数在3.5左右，需要提高其介电性能。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题，本发明提出了一种绝缘聚酰亚胺薄膜及其制备方法，本发明具有良好的耐热性能、绝缘性能。

本发明提出的一种绝缘聚酰亚胺薄膜，其原料包括：二胺单体、二酐单体和八(氨基苯基三氧硅烷)，其中，二胺单体为9,9-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]芴和含氟二胺，二酐单体为均苯四甲酸二酐和含氟二酐。

优选地，含氟二酐为4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐。

优选地，含氟二胺为2,2-双(3-氨基-4-羟基苯基)-六氟丙烷。

优选地，9,9-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]芴和含氟二胺的摩尔比为0.6-0.7:0.3-0.4。

优选地，均苯四甲酸二酐和含氟二酐的摩尔比为0.5-0.6:0.4-0.5。

优选地，八(氨基苯基三氧硅烷)占二胺单体和二酐单体总重量的4-5％。

优选地，二胺单体和二酐单体的摩尔比为1:0.9-1。

本发明还提出了上述绝缘聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括如下步骤：在惰性气体氛围中，将二胺单体和有机溶剂混匀，然后加入二酐单体，进行反应，然后加入八(氨基苯基三氧硅烷)溶液，继续反应得到中间物料；取中间物料脱泡并涂布于基板表面，亚胺化，脱膜得到绝缘聚酰亚胺薄膜。

优选地，亚胺化的程序为：升温至100-110℃，保温1h；然后升温至200-210℃，保温0.5h；然后升温至300-310℃，保温20min；然后升温至350℃，保温10min。

优选地，室温反应5-7h，然后加入八(氨基苯基三氧硅烷)溶液，继续反应1.5-2h得到中间物料。

优选地，有机溶剂为N,N-二甲基乙酰胺。

有益效果：

本发明选用9,9-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]芴和2,2-双(3-氨基-4-羟基苯基)-六氟丙烷以适宜比例配合作为二胺单体，以均苯四甲酸二酐和4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐以适宜比例配合作为二酐单体，从而在聚酰亚胺中引入了适量的氟元素和大体积侧基，从而可以大大降低聚酰亚胺的介电常数，提高其绝缘性能，同时氟元素的引入，可以进一步提高本发明的耐热性；另外添加适量的八(氨基苯基三氧硅烷)，可以进一步降低介电常数，并且进一步提高本发明的机械性能；选用合适的亚胺化工艺，可以进一步提高薄膜的机械性能。

具体实施方式

下面，通过具体实施例对本发明的技术方案进行详细说明。

实施例1

一种绝缘聚酰亚胺薄膜，其原料包括：二胺单体、二酐单体和八(氨基苯基三氧硅烷)，其中，二胺单体为9,9-双[4-(4-氨基苯氧基)苯基]芴和2,2-双(3-氨基-4-羟基苯基)-六氟丙烷，二酐单体为均苯四甲酸二酐和4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐；