[发明专利]一种套刻对准标记结构及相关方法和器件有效

专利信息
申请号: 202010472791.3 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111580351B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: 方超;高志虎 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L23/544
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆宗力
地址: 430074 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 对准 标记 结构 相关 方法 器件
【权利要求书】:

1.一种套刻对准标记结构,其特征在于,包括:

基底;

位于所述基底一侧表面的实体参考标记;

以及,覆盖所述实体参考标记背离所述基底一侧的薄膜覆盖层,所述薄膜覆盖层背离所述基底一侧包括凹槽测量标记,所述实体参考标记与所述凹槽测量标记组合为套刻对准标记;所述凹槽测量标记与所述实体参考标记之间具有至少一个交叠区域,且在交叠区域裸露所述实体参考标记的至少一侧边;

所述套刻对准标记包括套刻区域,所述套刻区域包括平行设置的多个第一延伸部及平行设置的多个第二延伸部,所述第一延伸部和所述第二延伸部的延伸方向相同,且所述第一延伸部和所述第二延伸部在所述延伸方向上一一对应设置,其中,至少一个所述第一延伸部的端部与其相对的所述第二延伸部的端部之间具有交叠区域;其中,所有所述套刻区域的第一延伸部组成为所述实体参考标记,且所有所述套刻区域的第二延伸部组成为所述凹槽测量标记;

在所述第一延伸部的端部和所述第二延伸部的端部的交叠区域处,且在垂直所述延伸方向,所述第二延伸部的端部的宽度大于所述第一延伸部的端部的宽度,且在交叠区域裸露所述第一延伸部的端部在所述延伸方向及垂直所述延伸方向的侧边;与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部包括:条形状延伸部和辅助延伸部;在垂直所述延伸方向,所述辅助延伸部的宽度大于所述条形状延伸部的宽度,且所述辅助延伸部位于所述第一延伸部与所述第二延伸部的交叠区域处;

未与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部,与所述辅助延伸部在垂直所述延伸方向的方向上不交叠;以及,与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部,和未与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部之间交替排列。

2.根据权利要求1所述的套刻对准标记结构,其特征在于,所述套刻对准标记包括:

呈两行及两列的阵列设置的四个套刻区域;

在所述两行及两列的阵列的行方向及列方向上,相邻两个所述套刻区域各自相应的延伸部的延伸方向相垂直;

在任意一套刻区域处且沿所述延伸方向,所述第二延伸部设置于靠近相邻的所述套刻区域一侧。

3.根据权利要求1所述的套刻对准标记结构,其特征在于,所述第一延伸部及未与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部均为条形状延伸部。

4.一种套刻对准标记结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供一基底;

在所述基底一侧表面上形成实体参考标记;

形成覆盖所述实体参考标记背离所述基底一侧的薄膜覆盖层;

对所述薄膜覆盖层背离所述基底一侧进行刻蚀形成凹槽测量标记,所述实体参考标记与所述凹槽测量标记组合为套刻对准标记;所述凹槽测量标记与所述实体参考标记之间具有至少一个交叠区域,且在交叠区域裸露所述实体参考标记的至少一侧边;

所述套刻对准标记包括套刻区域,所述套刻区域包括平行设置的多个第一延伸部及平行设置的多个第二延伸部,所述第一延伸部和所述第二延伸部的延伸方向相同,且所述第一延伸部和所述第二延伸部在所述延伸方向上一一对应设置,其中,至少一个所述第一延伸部的端部与其相对的所述第二延伸部的端部之间具有交叠区域;其中,所有所述套刻区域的第一延伸部组成为所述实体参考标记,且所有所述套刻区域的第二延伸部组成为所述凹槽测量标记;

在所述第一延伸部的端部和所述第二延伸部的端部的交叠区域处,且在垂直所述延伸方向,所述第二延伸部的端部的宽度大于所述第一延伸部的端部的宽度,且在交叠区域裸露所述第一延伸部的端部在所述延伸方向及垂直所述延伸方向的侧边与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部包括:条形状延伸部和辅助延伸部;在垂直所述延伸方向,所述辅助延伸部的宽度大于所述条形状延伸部的宽度,且所述辅助延伸部位于所述第一延伸部与所述第二延伸部的交叠区域处,未与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部,与所述辅助延伸部在垂直所述延伸方向的方向上不交叠;以及,与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部,和未与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部之间交替排列。

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