[发明专利]一种套刻对准标记结构及相关方法和器件

说明书

本发明提供了一种套刻对准标记结构及其制作方法、套刻精度测量方法及半导体器件，包括基底；位于基底一侧表面的实体参考标记；覆盖实体参考标记背离基底一侧的薄膜覆盖层，薄膜覆盖层背离基底一侧包括凹槽测量标记，实体参考标记与凹槽测量标记组合为套刻对准标记；凹槽测量标记与实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且在交叠区域裸露实体参考标记的至少一侧边。由于凹槽测量标记与实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且在交叠区域裸露实体参考标记的至少一侧边，通过CDSEM测量机台获取更为清晰且精确的实体参考标记和凹槽测量标记在交叠区域处的形貌，进而对该清晰且精确的形貌进行套刻精度的测量，能够保证套刻精度的测量误差小。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，更为具体地说，涉及一种套刻对准标记结构及其制作方法、套刻精度测量方法及半导体器件。

背景技术

随着光刻特征尺寸的不断减小，对光刻机的套刻精度与临界尺寸均匀性的要求也不断提高。半导体器件的制造通常包括几十道光刻工序，为了确保各个层次的对应关系，必须要求与光刻特征尺寸相匹配的套刻精度。曝光图形与实际位置的差异，即图形位置偏移量，是影响光刻机套刻精度的重要因素，也是影响器件的重要因子。现有的半导体器件在制作过程中，套刻精度的测量误差较大。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种套刻对准标记结构及其制作方法、套刻精度测量方法及半导体器件，有效解决了现有技术存在的技术问题，保证套刻精度的测量误差小。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种套刻对准标记结构，包括：

基底；

位于所述基底一侧表面的实体参考标记；

以及，覆盖所述实体参考标记背离所述基底一侧的薄膜覆盖层，所述薄膜覆盖层背离所述基底一侧包括凹槽测量标记，所述实体参考标记与所述凹槽测量标记组合为套刻对准标记；所述凹槽测量标记与所述实体参考标记之间具有至少一个交叠区域，且在交叠区域裸露所述实体参考标记的至少一侧边。

可选的，所述套刻对准标记包括：

呈两行及两列的阵列设置的四个套刻区域，每一所述套刻区域包括平行设置的多个第一延伸部及平行设置的多个第二延伸部，所述第一延伸部和所述第二延伸部的延伸方向相同，且所述第一延伸部和所述第二延伸部在所述延伸方向上一一对应设置，其中，至少一个所述第一延伸部的端部与其相对的所述第二延伸部的端部之间具有交叠区域；

在所述两行及两列的阵列的行方向及列方向上，相邻两个所述套刻区域各自相应的延伸部的延伸方向相垂直，其中，所有所述套刻区域的第一延伸部组成为所述实体参考标记，且所有所述套刻区域的第二延伸部组成为所述凹槽测量标记。

可选的，在所述第一延伸部的端部和所述第二延伸部的端部的交叠区域处，且在垂直所述延伸方向，所述第二延伸部的端部的宽度大于所述第一延伸部的端部的宽度，且在交叠区域裸露所述第一延伸部的端部在所述延伸方向及垂直所述延伸方向的侧边。

可选的，与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部包括：条形状延伸部和辅助延伸部；

在垂直所述延伸方向，所述辅助延伸部的宽度大于所述条形状延伸部的宽度，且所述辅助延伸部位于所述第一延伸部与所述第二延伸部的交叠区域处。

可选的，所述第一延伸部及未与所述第一延伸部之间具有交叠区域的第二延伸部均为条形状延伸部。

相应的，本发明还提供了一种套刻对准标记结构的制作方法，包括：

提供一基底；

在所述基底一侧表面上形成实体参考标记；

形成覆盖所述实体参考标记背离所述基底一侧的薄膜覆盖层；