[发明专利]曝光装置及其使用方法

权利要求书

1.一种曝光装置，其特征在于，包括光源、掩膜版和光路补偿单元，所述光路补偿单元设置于所述掩膜版远离所述光源的一侧，所述掩膜版上设置有掩膜图案；

所述光路补偿单元包括第一子补偿单元和/或第二子补偿单元，其中，所述第一子补偿单元包括一具有中空结构的密闭组件，所述中空结构中设置有第一填充物，所述第一填充物用于改变所述密闭组件的压强，并改变所述光路补偿单元的折射率；

所述第二子补偿单元包括一透光结构，所述透光结构靠近和/或远离所述掩膜版的一侧表面设置有薄膜层，所述薄膜层和所述透光结构用于改变所述光路补偿单元的折射率。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述密闭组件为一多面体结构，所述多面体结构至少包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面和所述第二表面平行设置，且所述第一表面和所述掩膜版所在的平面平行设置。

3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，所述第一子补偿单元包括若干具有独立密闭空间的子中空结构。

4.据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，至少两个所述子中空结构对应的所述第一子补偿单元的所述折射率不同。

5.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述第一子补偿单元还包括薄膜件，所述薄膜件设置于所述第一表面和所述第二表面之间，且所述薄膜件所在的平面与所述第一表面相交；所述薄膜件用于将所述第一子补偿单元划分为若干具有独立密闭空间的所述子中空结构。

6.根据权利要求5所述的曝光装置，其特征在于，所述薄膜件采用氟化镁薄膜材料制作。

7.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述第一填充物包括氢气或氩气。

8.根据权利要求2或3所述的曝光装置，其特征在于，所述光路补偿单元还包括气阀组件；任一所述子中空结构均连接一所述气阀组件。

9.根据权利要求8所述的曝光装置，其特征在于，所述气阀组件至少包括一个进排气气阀和一个气压计。

10.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述透光结构为可形变玻璃体。

11.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述薄膜层采用氮化硅或二氧化硅材料制作。

12.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述薄膜层在所述掩膜版上的正投影与所述透光结构在所述掩膜版上正投影至少部分交叠。

13.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述薄膜层采用电可变材料制作。

14.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述光路补偿单元同时包括所述第一子补偿单元和所述第二子补偿单元时，所述第一子补偿单元设置于所述第二子补偿单元靠近所述掩膜版的一侧；或，所述第一子补偿单元设置于所述第二子补偿单元远离所述掩膜版的一侧。

15.根据权利要求14所述的曝光装置，其特征在于，所述第一子补偿单元在所述掩膜版上的正投影与所述第二子补偿单元在所述掩膜版上的正投影至少部分交叠。

16.一种曝光装置的使用方法，其特征在于，所述曝光装置的使用方法应用于如权利要求1-15之任一项所述的曝光装置；

所述曝光装置用于在转印基板上形成转印图形，所述转印基板设置于光路补偿单元远离掩膜版的一侧；

所述方法包括：

打开光源，使所述光源发出的光线经所述掩膜版和光路补偿单元；

所述光路补偿单元使所述掩膜版的掩膜图案在所述转印基板上形成所述转印图形。

17.根据权利要求16所述的曝光装置的使用方法，其特征在于，当光路补偿单元包括第一子补偿单元时，所述第一子补偿单元的使用方法包括：

通过气压计检测密闭组件中任一子中空结构内的第一压强；

将所述第一压强与预设压强进行比较；

若所述第一压强大于所述预设压强，则打开进排气气阀排出至少部分第一填充物，并再次通过所述气压计检测任一所述子中空结构内的所述第一压强；

若所述第一压强小于所述预设压强，则打开进排气气阀充入至少部分第一填充物，并再次通过所述气压计检测任一所述子中空结构内的所述第一压强；

若所述第一压强等于所述预设压强，则打开所述曝光装置开始曝光。